Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения
Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi₂Te₃<Cu>, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период кристаллизации между слоями Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ и в дефектных центрах, п...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2016 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115682 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения / А.П. Алиева, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 49-52. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-115682 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1156822017-04-10T03:02:28Z Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения Алиева, А.П. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Материалы электроники Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi₂Te₃<Cu>, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период кристаллизации между слоями Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ и в дефектных центрах, перпендикулярно поверхности кристалла (0001), которое завершается образованием диссипативных наноструктур. Установлено, что наиболее значительно изменяются термоэлектрические свойства кристаллов, легированных индием. Досліджено зміну термоелектричних властивостей кристалів Bi₂Te₃<Cu>, легованих вісмутом та індієм, під час їх зберіганн я. Показано, що це пов'язано з самовільним перетіканн ям атомів Cu, які осіли в початковий період кристалізації між шарами Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ та в дефектн их цент рах, перпендикулярно поверхні кристала (0001), яке завершується утворенн ям дисипативних наноструктур. Встановлено, що найбільш істотн о змінюються термоелектричні властивості кристалів, легованих індієм. The authors investigate the change in the thermoelectric properties of Bi₂Te₃<Cu> crystals doped by bismuth and indium during their storage. It is shown that such change is caused by the spontaneous overflow of Cu atoms deposited during the initial crystallization period between Te⁽²⁾-Bi and Bi-Te⁽²⁾ layers, and in defect centers perpendicularly to the surface of the crystal (0001), which culminates in the formation of dissipative nanostructures. It was found that thermoelectric properties of crystals doped with indium undergo the most significant change. 2016 Article Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения / А.П. Алиева, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 49-52. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 DOI: 10.15222/TKEA2016.2-3.49 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115682 546.87/86”24:54-165 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Алиева, А.П. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследовано изменение термоэлектрических свойств кристаллов Bi₂Te₃<Cu>, легированнных висмутом и индием, во время их хранения. Показано, что это связано с самопроизвольным перетеканием атомов Cu, осевших в начальный период кристаллизации между слоями Te⁽²⁾—Bi, Bi—Te⁽²⁾ и в дефектных центрах, перпендикулярно поверхности кристалла (0001), которое завершается образованием диссипативных наноструктур. Установлено, что наиболее значительно изменяются термоэлектрические свойства кристаллов, легированных индием. |
| format |
Article |
| author |
Алиева, А.П. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. |
| author_facet |
Алиева, А.П. Кахраманов, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. |
| author_sort |
Алиева, А.П. |
| title |
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_short |
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_full |
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_fullStr |
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_full_unstemmed |
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения |
| title_sort |
влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов bi₂te₃<cu> в процессе их хранения |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2016 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115682 |
| citation_txt |
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi₂Te₃<Cu> в процессе их хранения / А.П. Алиева, С.Ш. Кахраманов, А.Ш. Кахраманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 2-3. — С. 49-52. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT alievaap vliâniesamointerkalâciimedinatermoélektričeskiesvojstvalegirovannyhkristallovbi2te3cuvprocesseihhraneniâ AT kahramanovsš vliâniesamointerkalâciimedinatermoélektričeskiesvojstvalegirovannyhkristallovbi2te3cuvprocesseihhraneniâ AT kahramanovaš vliâniesamointerkalâciimedinatermoélektričeskiesvojstvalegirovannyhkristallovbi2te3cuvprocesseihhraneniâ |
| first_indexed |
2024-03-30T09:33:07Z |
| last_indexed |
2024-03-30T09:33:07Z |
| _version_ |
1796150180936941568 |