Ohmic contacts to InN-based materials
The key aspects of ohmic contact formation to InN-based materials were investigated. Detailed analysis of studies conducted over the past three decades, allows determining the basic principles of such contacts. The contact structure properties and optimal conditions for them are presented. Different...
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автор: | Sai, P.O. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/115688 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Ohmic contacts to InN-based materials / P.O. Sai // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2016. — № 4-5. — С. 3-14. — Бібліогр.: 52 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
за авторством: Нетяга, В.В., та інші
Опубліковано: (2018) -
Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
за авторством: Druzhinin, A.O., та інші
Опубліковано: (2019) -
Sensitive element of multifunctional sensor for measuring temperature, strain and magnetic field induction
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2017) -
Electrical connectors for surface solderless mounting
за авторством: Yefimenko, A.A.
Опубліковано: (2012) -
Органические светоизлучающие структуры — технологии XXI века
за авторством: Сорокин, В.М., та інші
Опубліковано: (2009)