Коммутационные управляемые устройства на p—i—n-диодах миллиметрового диапазона длин волн - Карушкин, Н.Ф.; Малышко, В.В.; Ореховский, В.В.; Тухаринов, А.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)
Представлены результаты исследований и разработки выключателей и переключателей с использованием p—i—n-диодов сосредоточенного типа, обеспечивающих время переключения единицы наносекунд. С целью увеличения развязки в закрытом состоянии (потерь запирания) около 40 дБ в устройствах применено каскадное включение диодов в волноводную и микрополосковую линии передачи на электрической длине θ = π/2. Представлены результаты исследований по созданию коммутационных устройств коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн (f = 300 ГГц) с использованием продольно- и поперечно-распределенных p—i—n-структур.