Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами
Исследованы радиационно-стимулированные процессы в гетероструктурах С₆₀/Si, GeOx/C₆₀/Si и С₆₀/сплав ВТ6, которые происходят под влиянием -облучения ⁶⁰Со. Пленки толщиной 0,1–2 мкм осаждались на неподогретые подложки из порошка С₆₀ вакуумной сублимацией. Выявлены радиационно-стимулированные изменения...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116695 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 43-48. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-116695 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1166952017-05-14T03:02:30Z Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами Венгер, Е.Ф. Матвеева, Л.А. Нелюба, П.Л. Исследованы радиационно-стимулированные процессы в гетероструктурах С₆₀/Si, GeOx/C₆₀/Si и С₆₀/сплав ВТ6, которые происходят под влиянием -облучения ⁶⁰Со. Пленки толщиной 0,1–2 мкм осаждались на неподогретые подложки из порошка С₆₀ вакуумной сублимацией. Выявлены радиационно-стимулированные изменения оптических и механических свойств гетеросистем при изменении дозы облучения от 10⁶ до 4 10⁸ Р. Установлено, что они определяются развалом молекул С₆₀ и появлением новых углеродных фаз (графитоподобной или алмазоподобной). Показана возможность уменьшения внутренних механических напряжений, повышения износостойкости и радиационной стойкости гетероструктур с фуллеренами. We have presented results of ⁶⁰Co γ-radiation influence on physical properties of C₆₀/Si, GeOx/C₆₀/Si, C₆₀/BT6 alloy heterostructures. C₆₀ films 0.1-2 μm thick were produced from C₆₀ fullerene powder by sublimation in vacuum on unheated substrates. We have used IR and Raman spectroscopy, profilometry to determine the structure, composition and physical properties of heterostructures depending on irradiation dose in the 10⁶-4x10⁸ R range. It has been revealåd that C₆₀ molecules decomposed after γ-irradiation and that new carbon structures form in the films with arising of new carbon phases (graphite-like or diamond-like ones). A possibility was shown to decrease the inner mechanical stresses, to increase wearesistance and radiation stability of heterostructures with fullerenes. 2011 Article Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 43-48. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116695 621.315.952 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
Исследованы радиационно-стимулированные процессы в гетероструктурах С₆₀/Si, GeOx/C₆₀/Si и С₆₀/сплав ВТ6, которые происходят под влиянием -облучения ⁶⁰Со. Пленки толщиной 0,1–2 мкм осаждались на неподогретые подложки из порошка С₆₀ вакуумной сублимацией. Выявлены радиационно-стимулированные изменения оптических и механических свойств гетеросистем при изменении дозы облучения от 10⁶ до 4 10⁸ Р. Установлено, что они определяются развалом молекул С₆₀ и появлением новых углеродных фаз (графитоподобной или алмазоподобной). Показана возможность уменьшения внутренних механических напряжений, повышения износостойкости и радиационной стойкости гетероструктур с фуллеренами. |
format |
Article |
author |
Венгер, Е.Ф. Матвеева, Л.А. Нелюба, П.Л. |
spellingShingle |
Венгер, Е.Ф. Матвеева, Л.А. Нелюба, П.Л. Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
author_facet |
Венгер, Е.Ф. Матвеева, Л.А. Нелюба, П.Л. |
author_sort |
Венгер, Е.Ф. |
title |
Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами |
title_short |
Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами |
title_full |
Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами |
title_fullStr |
Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами |
title_full_unstemmed |
Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами |
title_sort |
радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2011 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116695 |
citation_txt |
Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 43-48. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
work_keys_str_mv |
AT vengeref radiacionnostimulirovannyeéffektyvgeterostrukturahsfullerenami AT matveevala radiacionnostimulirovannyeéffektyvgeterostrukturahsfullerenami AT nelûbapl radiacionnostimulirovannyeéffektyvgeterostrukturahsfullerenami |
first_indexed |
2023-10-18T20:28:10Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:28:10Z |
_version_ |
1796150276814536704 |