Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами
Исследованы радиационно-стимулированные процессы в гетероструктурах С₆₀/Si, GeOx/C₆₀/Si и С₆₀/сплав ВТ6, которые происходят под влиянием -облучения ⁶⁰Со. Пленки толщиной 0,1–2 мкм осаждались на неподогретые подложки из порошка С₆₀ вакуумной сублимацией. Выявлены радиационно-стимулированные изменения...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116695 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 43-48. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |