2025-02-23T15:41:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116697%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T15:41:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116697%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T15:41:57-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-23T15:41:57-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки....

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Асніс, Ю.А., Баранський, П.І., Бабич, В.М., Піскун, Н.В., Статкевич, І.І.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Series:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116697
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	irk-123456789-116697
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1166972017-05-14T03:02:24Z Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content of the alloying (P) and background (O) impurites in single crystals of Si, obtained by crucibleless electron-beam zone melting. 2011 Article Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116697 621.315,592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
description	Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки.
format	Article
author	Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І.
spellingShingle	Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet	Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І.
author_sort	Асніс, Ю.А.
title	Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_short	Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_full	Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_fullStr	Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_full_unstemmed	Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
title_sort	вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2011
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116697
citation_txt	Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.
series	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv	AT asnísûa vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT baransʹkijpí vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT babičvm vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT pískunnv vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT statkevičíí vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki
first_indexed	2023-10-18T20:28:10Z
last_indexed	2023-10-18T20:28:10Z
_version_	1796150277027397632

Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Similar Items