Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки....
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116697 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116697 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1166972017-05-14T03:02:24Z Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content of the alloying (P) and background (O) impurites in single crystals of Si, obtained by crucibleless electron-beam zone melting. 2011 Article Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116697 621.315,592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки. |
| format |
Article |
| author |
Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. |
| spellingShingle |
Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Асніс, Ю.А. Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. |
| author_sort |
Асніс, Ю.А. |
| title |
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_short |
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_full |
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_fullStr |
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_full_unstemmed |
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| title_sort |
вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116697 |
| citation_txt |
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT asnísûa vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT baransʹkijpí vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT babičvm vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT pískunnv vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki AT statkevičíí vmístleguvalʹnoíífonovoídomíšokvmonokristalahsioderžanihmetodomelektronnopromenevoíbeztigelʹnoízonnoíplavki |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:10Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:10Z |
| _version_ |
1796150277027397632 |