2025-02-23T11:13:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116699%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:13:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116699%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:13:53-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T11:13:53-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Химико-механическое полирование кристаллов твердых растворов на основе теллуридов висмута и сурьмы бромвыделяющими композициями

Исследован процесс химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых кристаллов Ві₂Te₃ и твердых растворов n-(Bi₂Te₃)₀,₉ (Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ и p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ бромвыделяющими травителями. Изучены зависимости скоростей ХМП от разбавления базового полирую...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Павлович, И.И., Томашик, В.Н., Томашик, З.Ф., Стратийчук, И.Б., Копыл, А.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Series:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116699
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Исследован процесс химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых кристаллов Ві₂Te₃ и твердых растворов n-(Bi₂Te₃)₀,₉ (Sb₂Te₃)₀,₀₅(Sb₂Se₃)₀,₀₅ и p-(Bi₂Te₃)₀,₂₅(Sb₂Te₃)₀,₇₂(Sb₂Se₃)₀,₀₃ бромвыделяющими травителями. Изучены зависимости скоростей ХМП от разбавления базового полирующего травителя органическими компонентами, а также состояние поверхности после полирования. Оптимизированы составы полирующих смесей и режимы проведения операций для формирования высококачественной полированной поверхности.