Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при Т = 900 °С, характерно изменение знака фотоЭДС в области края по...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116702 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 88-94. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116702 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167022017-05-14T03:02:28Z Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при Т = 900 °С, характерно изменение знака фотоЭДС в области края поглощения GaAs. Кривые распределения ЭДС знакопеременные и имеют нелинейный характер. Определено, что отжиг при Т = 950 °С приводит к увеличению относительной неоднородности толщины области истощения и отсутствию изменения знака спектральной характеристики фотоЭДС. При этом сохраняется значительное влияние неоднородности изгиба зон в области истощения гетеросистемы на характер распределения латеральной ЭДС. Spectral characteristics of lateral photo-emf produced by modulated monochromatic illumination in NbN GaAs Schottky contacts (with 5 % nitrogen content in the niobium nitride film) have been studied. For the samples annealed at T = 900 °С, the photo-emf changes its sign near the GaAs absorption edge. The photo-emf distribution curves are alternating and nonlinear. It was found that thermal annealing at T = 950 °С results in an increase of relative nonuniformity of the depletion region thickness, while the sign of the photo-emf spectral curve does not change. In this case, considerable effect of band bending nonuniformity in the depletion region of the heterosystem under investigation on the character of lateral photo-emf distribution is retained. 2011 Article Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 88-94. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116702 535.215.6 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследованы спектральные характеристики латеральной фотоЭДС, которая генерируется модулированным монохроматическим светом в образцах контакта Шоттки NbN–GaAs с содержанием азота в пленке нитрида ниобия 5 %. Для образцов, отожженных при Т = 900 °С, характерно изменение знака фотоЭДС в области края поглощения GaAs. Кривые распределения ЭДС знакопеременные и имеют нелинейный характер. Определено, что отжиг при Т = 950 °С приводит к увеличению относительной неоднородности толщины области истощения и отсутствию изменения знака спектральной характеристики фотоЭДС. При этом сохраняется значительное влияние неоднородности изгиба зон в области истощения гетеросистемы на характер распределения латеральной ЭДС. |
| format |
Article |
| author |
Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| spellingShingle |
Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| author_sort |
Венгер, Е.Ф. |
| title |
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки |
| title_short |
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки |
| title_full |
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки |
| title_fullStr |
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки |
| title_full_unstemmed |
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки |
| title_sort |
латеральная фотоэдс в неоднородном контакте шоттки |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116702 |
| citation_txt |
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 88-94. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT vengeref lateralʹnaâfotoédsvneodnorodnomkontaktešottki AT gotovyi lateralʹnaâfotoédsvneodnorodnomkontaktešottki AT šehovcovlv lateralʹnaâfotoédsvneodnorodnomkontaktešottki |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:11Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:11Z |
| _version_ |
1796150277557977088 |