Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx

• Дата: 2011
• Автори: Данько, В.А., Індутний, І.З., Коломис, О.Ф., Стрельчук, В.В., Шепелявий, П.Є.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
• Назва видання: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116704
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.

З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш’яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ відбувається зменшення концентрації S–S- та збільшення концентрації As–Asзв ’язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення ΔEg (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As₂S₃/SiO₁,₅ шарах порівняно з суцільними As₂S₃ плівками. Ефект збільшення ΔEg у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As₂S₃, які знаходяться в діелектричній матриці.