2025-02-23T09:19:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116704%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:19:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116704%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T09:19:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T09:19:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx

Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx

З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на класт...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Данько, В.А., Індутний, І.З., Коломис, О.Ф., Стрельчук, В.В., Шепелявий, П.Є.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2011
Series:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116704
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш’яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ відбувається зменшення концентрації S–S- та збільшення концентрації As–Asзв ’язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення ΔEg (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As₂S₃/SiO₁,₅ шарах порівняно з суцільними As₂S₃ плівками. Ефект збільшення ΔEg у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As₂S₃, які знаходяться в діелектричній матриці.

Similar Items