Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx
З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на класт...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116704 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116704 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167042017-05-14T03:02:36Z Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx Данько, В.А. Індутний, І.З. Коломис, О.Ф. Стрельчук, В.В. Шепелявий, П.Є. З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш’яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ відбувається зменшення концентрації S–S- та збільшення концентрації As–Asзв ’язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення ΔEg (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As₂S₃/SiO₁,₅ шарах порівняно з суцільними As₂S₃ плівками. Ефект збільшення ΔEg у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As₂S₃, які знаходяться в діелектричній матриці. The reversible photostimulated absorption edge shift (photodarkening), ΔEg, of As₂S₃ nanoparticles embedded into the SiO₁.₅ matrix is investigated with the use of optical methods (absorption in IR and visible rΔEgions, Raman spectroscopy). When forming the As₂S₃/SiO₁.₅ nanocomposites chalcogenide phases are separated into clusters enriched with arsenic or sulphur. As a result of the As₂S₃/SiO₁.₅ nanocomposites exposure the concentration of S-S bonds decreases and that of As-As bonds increases, which can give rise to photodarkening. As compared to continuous As₂S₃ films, the remarkable ΔEg increase (up to 4 times) with a decrease of chalcogenide particle sizes in the nanocomposite As₂S₃/SiO₁.₅ layers was observed. The effect of ΔEg increase in nanocomposites is related to a spatial confinement of a photoexcited carrier diffusion length in As₂S₃ nanoparticles embedded in a dielectric matrix. 2011 Article Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116704 621.385.832 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш’яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ відбувається зменшення концентрації S–S- та збільшення концентрації As–Asзв ’язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення ΔEg (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As₂S₃/SiO₁,₅ шарах порівняно з суцільними As₂S₃ плівками. Ефект збільшення ΔEg у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As₂S₃, які знаходяться в діелектричній матриці. |
| format |
Article |
| author |
Данько, В.А. Індутний, І.З. Коломис, О.Ф. Стрельчук, В.В. Шепелявий, П.Є. |
| spellingShingle |
Данько, В.А. Індутний, І.З. Коломис, О.Ф. Стрельчук, В.В. Шепелявий, П.Є. Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Данько, В.А. Індутний, І.З. Коломис, О.Ф. Стрельчук, В.В. Шепелявий, П.Є. |
| author_sort |
Данько, В.А. |
| title |
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_short |
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_full |
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_fullStr |
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_full_unstemmed |
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx |
| title_sort |
реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах as₂s₃/siox |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2011 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116704 |
| citation_txt |
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT danʹkova reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox AT índutnijíz reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox AT kolomisof reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox AT strelʹčukvv reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox AT šepelâvijpê reversivnefotopotemnínnâvkompozitnihnanostrukturahas2s3siox |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:11Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:11Z |
| _version_ |
1796150277770838016 |