Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол
Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116715 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол / В.А. Данько, І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, О.С. Литвин, М.В. Луканюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 51-58. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116715 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167152017-05-15T03:02:28Z Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол Данько, В.А. Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Литвин, О.С. Луканюк, М.В. Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з поглинанням у плівці ХСН в області краю міжзонних переходів. Показано, що новий фотостимульований ефект дає змогу реалізувати фотолітографічний процес (у тому числі процес інтерференційної фотолітографії) на шарах ХСН, відпалених за температури, близької до температури розм’якшення халькогенідного скла, шляхом одночасного експонування та селективного протравлювання таких шарів. Обговорюється можливий механізм фототравлення ХСН. It is found the photoinduced enhancement in solubility of annealed films of chalcogenide glasses (ChG) in amine-based selective etchants. With increasing of irradiation intensity the rate of the films etching rises, and its spectral dependence correlates with absorption of ChG films in the spectral range near absorption edge. The new photoinduced effect allows realize a photolithography (including the process of interference photolithography) on the ChG layers, annealed near the glass-transition temperature, by the simultaneous exposure and selective etching of such layers. The possible mechanism of photo-induced etching of ChG films is discussed. 2012 Article Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол / В.А. Данько, І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, О.С. Литвин, М.В. Луканюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 51-58. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116715 535.421;621.793/794 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Виявлено ефект фотостимульованого підвищення розчинності відпалених плівок халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН) в селективних протравлювачах на основі амінів. Встановлено, що швидкість травлення підвищується при збільшенні інтенсивності опромінення, а її спектральна залежність корелює з поглинанням у плівці ХСН в області краю міжзонних переходів. Показано, що новий фотостимульований ефект дає змогу реалізувати фотолітографічний процес (у тому числі процес інтерференційної фотолітографії) на шарах ХСН, відпалених за температури, близької до температури розм’якшення халькогенідного скла, шляхом одночасного експонування та селективного протравлювання таких шарів. Обговорюється можливий механізм фототравлення ХСН. |
| format |
Article |
| author |
Данько, В.А. Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Литвин, О.С. Луканюк, М.В. |
| spellingShingle |
Данько, В.А. Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Литвин, О.С. Луканюк, М.В. Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Данько, В.А. Індутний, І.З. Минько, В.І. Шепелявий, П.Є. Литвин, О.С. Луканюк, М.В. |
| author_sort |
Данько, В.А. |
| title |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| title_short |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| title_full |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| title_fullStr |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| title_full_unstemmed |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| title_sort |
інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116715 |
| citation_txt |
Інтерференційна фотолітографія на основі ефекту фототравлення в тонких шарах халькогенідних стекол / В.А. Данько, І.З. Індутний, В.І. Минько, П.Є. Шепелявий, О.С. Литвин, М.В. Луканюк // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 51-58. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT danʹkova ínterferencíjnafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT índutnijíz ínterferencíjnafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT minʹkoví ínterferencíjnafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT šepelâvijpê ínterferencíjnafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT litvinos ínterferencíjnafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol AT lukanûkmv ínterferencíjnafotolítografíânaosnovíefektufototravlennâvtonkihšarahhalʹkogenídnihstekol |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| _version_ |
1796150278938951680 |