Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів

• Дата: 2012
• Автори: Венгер, Є.Ф., Голотюк, В.М., Горбач, Т.Я., Панін, А.І., Смертенко, П.С.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Назва видання: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116716
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів / Є.Ф. Венгер, В.М. Голотюк, Т.Я. Горбач, А.І. Панін, П.С. Смертенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 59-63. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Досліджено морфологічні, фотоелектричні, оптичні та фотовольтаїчні властивості n+–p–p+-структур сонячного елемента та поверхні кремнію, які обумовлено формуванням гібриду органіка–кремній. Органічний шар утворювався хімічним осадженням з водного розчину новокаїнаміду за кімнатної температури. Показано, що унаслідок сенсибілізації та функціоналізації Si-поверхні органічною плівкою коефіцієнт корисної дії (ККД) в n⁺–p–p⁺-Si-структурі промислового сонячного елемента збільшувався з 15,7 до 16,66 %. На n-Si створено органічно-неорганічний гібрид з ККД до 5 % і фотолюмінесцентними характристиками.