Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів
Досліджено морфологічні, фотоелектричні, оптичні та фотовольтаїчні властивості n+–p–p+-структур сонячного елемента та поверхні кремнію, які обумовлено формуванням гібриду органіка–кремній. Органічний шар утворювався хімічним осадженням з водного розчину новокаїнаміду за кімнатної температури. Показа...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116716 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів / Є.Ф. Венгер, В.М. Голотюк, Т.Я. Горбач, А.І. Панін, П.С. Смертенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 59-63. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116716 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167162017-05-15T03:02:43Z Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів Венгер, Є.Ф. Голотюк, В.М. Горбач, Т.Я. Панін, А.І. Смертенко, П.С. Досліджено морфологічні, фотоелектричні, оптичні та фотовольтаїчні властивості n+–p–p+-структур сонячного елемента та поверхні кремнію, які обумовлено формуванням гібриду органіка–кремній. Органічний шар утворювався хімічним осадженням з водного розчину новокаїнаміду за кімнатної температури. Показано, що унаслідок сенсибілізації та функціоналізації Si-поверхні органічною плівкою коефіцієнт корисної дії (ККД) в n⁺–p–p⁺-Si-структурі промислового сонячного елемента збільшувався з 15,7 до 16,66 %. На n-Si створено органічно-неорганічний гібрид з ККД до 5 % і фотолюмінесцентними характристиками. Increase of efficiency of the commercial solar cell structure approaching 16,66 % in comparison with 15,70 % is realized using chemical deposition in aqueous solution of the medical drug of novocainavide at room temperature. It is shown that the functionalization of n-Si-surface permits to create the organic - inorganic hybrid with efficiency up to 5 %, photovoltaic and photoluminescence properties. 2012 Article Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів / Є.Ф. Венгер, В.М. Голотюк, Т.Я. Горбач, А.І. Панін, П.С. Смертенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 59-63. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116716 537.312.5; 621.383 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Досліджено морфологічні, фотоелектричні, оптичні та фотовольтаїчні властивості n+–p–p+-структур сонячного елемента та поверхні кремнію, які обумовлено формуванням гібриду органіка–кремній. Органічний шар утворювався хімічним осадженням з водного розчину новокаїнаміду за кімнатної температури. Показано, що унаслідок сенсибілізації та функціоналізації Si-поверхні органічною плівкою коефіцієнт корисної дії (ККД) в n⁺–p–p⁺-Si-структурі промислового сонячного елемента збільшувався з 15,7 до 16,66 %. На n-Si створено органічно-неорганічний гібрид з ККД до 5 % і фотолюмінесцентними характристиками. |
| format |
Article |
| author |
Венгер, Є.Ф. Голотюк, В.М. Горбач, Т.Я. Панін, А.І. Смертенко, П.С. |
| spellingShingle |
Венгер, Є.Ф. Голотюк, В.М. Горбач, Т.Я. Панін, А.І. Смертенко, П.С. Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Венгер, Є.Ф. Голотюк, В.М. Горбач, Т.Я. Панін, А.І. Смертенко, П.С. |
| author_sort |
Венгер, Є.Ф. |
| title |
Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів |
| title_short |
Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів |
| title_full |
Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів |
| title_fullStr |
Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів |
| title_full_unstemmed |
Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів |
| title_sort |
сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур si сонячних елементів |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116716 |
| citation_txt |
Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів / Є.Ф. Венгер, В.М. Голотюк, Т.Я. Горбач, А.І. Панін, П.С. Смертенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 59-63. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT vengerêf sensibílízacíâtafunkcíonalízacíâpoverhnítastruktursisonâčnihelementív AT golotûkvm sensibílízacíâtafunkcíonalízacíâpoverhnítastruktursisonâčnihelementív AT gorbačtâ sensibílízacíâtafunkcíonalízacíâpoverhnítastruktursisonâčnihelementív AT panínaí sensibílízacíâtafunkcíonalízacíâpoverhnítastruktursisonâčnihelementív AT smertenkops sensibílízacíâtafunkcíonalízacíâpoverhnítastruktursisonâčnihelementív |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| _version_ |
1796150279045906432 |