2025-02-23T15:29:23-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116719%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:29:23-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116719%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:29:23-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T15:29:23-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига пр...
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Series: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116719 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-116719 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167192017-05-15T03:02:41Z Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига при Т = 850 °С спектральные зависимости всех исследованных образцов с содержанием азота в пленке NbN от 2 до 20 % имеют одинаковую форму с двумя максимумами противоположного знака, что указывает на формирование контакта Шоттки между NbN и GaAs. Отжиг при Т = 900 °С приводит к изменению формы спектральной характеристики для образцов с концентрацией азота в пленке NbN 15 и 20 %, формированию проводящего переходного слоя в области истощения контакта Шоттки и ухудшению его электрофизических характеристик. Вследствие отжига при Т = 950 °С происходит деградация контакта Шоттки для всего исследованного диапазона концентрации азота в пленке NbN. We studied the degradation process in NbN-GaAs Schottky contact by measuring spectral characteristics of lateral emf. The results obtained made it possible to establish a link between the spectrum form, nitrogen concentration in the NbN film and annealing temperature. After thermal annealing at T = 850 °C all the samples studied, with nitrogen content in the NbN film from 2 up to 20 %, demonstrate spectra of the same form, with two peaks of opposite signs. This indicates formation of Schottky contact between NbN and GaAs. Annealing at T = 900 °C results in a change of spectral characteristic form for the samples with nitrogen concentration in the NbN film of 15 an 20 % as well as formation of a conducting transition layer in the depletion region of Schottky contact and deterioration of its electrical characteristics. Annealing at T = 950 °C leads to Schottky contact degradation for the whole range of nitrogen concentration in the NbN film. 2012 Article Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116719 535.215.6 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига при Т = 850 °С спектральные зависимости всех исследованных образцов с содержанием азота в пленке NbN от 2 до 20 % имеют одинаковую форму с двумя максимумами противоположного знака, что указывает на формирование контакта Шоттки между NbN и GaAs. Отжиг при Т = 900 °С приводит к изменению формы спектральной характеристики для образцов с концентрацией азота в пленке NbN 15 и 20 %, формированию проводящего переходного слоя в области истощения контакта Шоттки и ухудшению его электрофизических характеристик. Вследствие отжига при Т = 950 °С происходит деградация контакта Шоттки для всего исследованного диапазона концентрации азота в пленке NbN. |
| format |
Article |
| author |
Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| spellingShingle |
Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Венгер, Е.Ф. Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
| author_sort |
Венгер, Е.Ф. |
| title |
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_short |
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_full |
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_fullStr |
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_full_unstemmed |
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге |
| title_sort |
деградация контакта шоттки при термическом отжиге |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116719 |
| citation_txt |
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT vengeref degradaciâkontaktašottkipritermičeskomotžige AT gotovyi degradaciâkontaktašottkipritermičeskomotžige AT šehovcovlv degradaciâkontaktašottkipritermičeskomotžige |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:13Z |
| _version_ |
1796150279365722112 |