Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур

При комнатной температуре исследована зависимость времени затухания фотолюминесценции (ФЛ) от энергии излучения в пористых наноструктурах nc-Si–SiOx. Образцы получали наклонным испарением SiO с последующим отжигом при 975 °С в вакууме и обработкой в парах HF при 50 °С. Структуры nc-Si–SiOx с различн...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Михайловская, Е.В., Данько, В.А., Индутный, И.З., Шепелявый, П.Е.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Назва видання:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116722
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур / Е.В. Михайловская, В.А. Данько, И.З. Индутный, П.Е. Шепелявый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 97-103. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-116722
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1167222017-05-15T03:02:51Z Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур Михайловская, Е.В. Данько, В.А. Индутный, И.З. Шепелявый, П.Е. При комнатной температуре исследована зависимость времени затухания фотолюминесценции (ФЛ) от энергии излучения в пористых наноструктурах nc-Si–SiOx. Образцы получали наклонным испарением SiO с последующим отжигом при 975 °С в вакууме и обработкой в парах HF при 50 °С. Структуры nc-Si–SiOx с различным содержанием Si (содержание Si варьировалось изменением угла осаждения SiO) в спектральной области 1,4–2,2 эВ проявляют похожие спектры ФЛ и идентичный ее (ФЛ) спад, соответствующий закону растянутой экспоненты. Предполагается, что растянутый экспоненциальный спад ФЛ является характерным для Si-нанокристаллов. Показано, что время жизни ФЛ экспоненциально уменьшается с увеличением энергии излучения. Этот результат согласуется с квантово-размерным эффектом, когда меньшие по размеру nc-Si с большей энергией запрещенной зоны характеризуются более коротким излучательным временем жизни и соответствующая излучательная рекомбинация происходит в пределах индивидуальных nc-Si. The spectral dependence of the photoluminescence (PL) decay time at room temperature has been studied in porous nc-Si-SiOx nanostructures. Investigated samples were obtained by oblique evaporation of SiO with following annealing at 975 °C in vacuum and treating in the HF vapor at 50 °C. nc-Si-SiOx structures with different Si content (Si content was varied by changing the deposition angle of SiO) exhibit identically spectrum of PL in spectral range of 1.4-2.2 eV, and decay of PL is described by a stretched exponential low. It is suggested that stretched exponential decay of PL is a characteristic of Si nanocrystals. It is shown that the PL lifetime decreases exponentially with increasing radiation energy. This result is consistent with the quantum confinement effects, where the smaller nc-Si with larger energy gaps are characterized by a short radiative lifetime and the corresponding radiative recombination process take place within the individual nc-Si. 2012 Article Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур / Е.В. Михайловская, В.А. Данько, И.З. Индутный, П.Е. Шепелявый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 97-103. — Бібліогр.: 30 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116722 621.315.592:535 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	При комнатной температуре исследована зависимость времени затухания фотолюминесценции (ФЛ) от энергии излучения в пористых наноструктурах nc-Si–SiOx. Образцы получали наклонным испарением SiO с последующим отжигом при 975 °С в вакууме и обработкой в парах HF при 50 °С. Структуры nc-Si–SiOx с различным содержанием Si (содержание Si варьировалось изменением угла осаждения SiO) в спектральной области 1,4–2,2 эВ проявляют похожие спектры ФЛ и идентичный ее (ФЛ) спад, соответствующий закону растянутой экспоненты. Предполагается, что растянутый экспоненциальный спад ФЛ является характерным для Si-нанокристаллов. Показано, что время жизни ФЛ экспоненциально уменьшается с увеличением энергии излучения. Этот результат согласуется с квантово-размерным эффектом, когда меньшие по размеру nc-Si с большей энергией запрещенной зоны характеризуются более коротким излучательным временем жизни и соответствующая излучательная рекомбинация происходит в пределах индивидуальных nc-Si.
format	Article
author	Михайловская, Е.В. Данько, В.А. Индутный, И.З. Шепелявый, П.Е.
spellingShingle	Михайловская, Е.В. Данько, В.А. Индутный, И.З. Шепелявый, П.Е. Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet	Михайловская, Е.В. Данько, В.А. Индутный, И.З. Шепелявый, П.Е.
author_sort	Михайловская, Е.В.
title	Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
title_short	Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
title_full	Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
title_fullStr	Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
title_full_unstemmed	Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
title_sort	кинетика фотолюминесценции пористых nc-si–siox-структур
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2012
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116722
citation_txt	Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур / Е.В. Михайловская, В.А. Данько, И.З. Индутный, П.Е. Шепелявый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 97-103. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.
series	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv	AT mihajlovskaâev kinetikafotolûminescenciiporistyhncsisioxstruktur AT danʹkova kinetikafotolûminescenciiporistyhncsisioxstruktur AT indutnyjiz kinetikafotolûminescenciiporistyhncsisioxstruktur AT šepelâvyjpe kinetikafotolûminescenciiporistyhncsisioxstruktur
first_indexed	2023-10-18T20:28:14Z
last_indexed	2023-10-18T20:28:14Z
_version_	1796150279684489216

Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур

Репозитарії

Схожі ресурси