Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур

• Дата: 2012
• Автори: Михайловская, Е.В., Данько, В.А., Индутный, И.З., Шепелявый, П.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
• Назва видання: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116722
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур / Е.В. Михайловская, В.А. Данько, И.З. Индутный, П.Е. Шепелявый // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 97-103. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.

При комнатной температуре исследована зависимость времени затухания фотолюминесценции (ФЛ) от энергии излучения в пористых наноструктурах nc-Si–SiOx. Образцы получали наклонным испарением SiO с последующим отжигом при 975 °С в вакууме и обработкой в парах HF при 50 °С. Структуры nc-Si–SiOx с различн...