Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)

Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов к широкозонным полупроводникам А3В5 и к кремнию с учетом атермического воздействия микроволнового излучения. На основе теоретического анализа ρс(Т) пре...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Саченко, А.В., Беляев, А.Е., Болтовец, Н.С., Конакова, Р.В., Шеремет, В.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Назва видання:	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116724
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) / А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 5-29. — Бібліогр.: 64 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-116724
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1167242017-05-15T03:02:35Z Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) Саченко, А.В. Беляев, А.Е. Болтовец, Н.С. Конакова, Р.В. Шеремет, В.Н. Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов к широкозонным полупроводникам А3В5 и к кремнию с учетом атермического воздействия микроволнового излучения. На основе теоретического анализа ρс(Т) предложен новый способ увеличения с с повышением температуры измерения. В нем учитывается токопрохождение по металлическим шунтам, совмещенным с перпендикулярными к границе раздела металл–полупроводник дислокациями. Показано, что малое поперечное сечение металлических шунтов обусловливает реализацию большого потенциала сил зеркального изображения, превышающего исходную величину барьера Шоттки. В результате этого возникают обогащающие изгибы зон у торцов шунтов, реализуются диффузионная теория токопрохождения в контакте, а также зависимость величины ρс от подвижности электронов. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρс(Т) для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, совмещенных с металлическими шунтами. Показана возможность уменьшения с омических контактов к соединениям А³В⁵ и Si, подвергнутых атермической микроволновой обработке. A generalization is made of the cycle of theoretical and experimental investigations of temperature dependences of contact resistivity, ρс(Т), for ohmic contacts to wide-gap III-V semiconductors and silicon, with allowance made for non-thermal effect of microwave radiation. A new mechanism of ñ growth with temperature is advanced, based on current flow through metal shunts associated with dislocations normal to the metal semiconductor interface. It is shown that small cross-section of metal shunts results in high potential of mirror image forces that exceeds the initial Schottky barrier height. This leads to appearance of accumulation band bending near shunt ends and realization of diffusion current flow mechanism in the contact, as well as ρс dependence on electron mobility. A good agreement between the theoretical and experimental dependences ρс(Т) is obtained in the case of high density of dislocation (associated with metal shunts) in the semiconductor near-contact region. A possibility of ñ reduction is demonstrated for ohmic contacts to III-V compounds and silicon subjected to non-thermal microwave treatment. 2013 Article Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) / А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 5-29. — Бібліогр.: 64 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116724 538.91 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов к широкозонным полупроводникам А3В5 и к кремнию с учетом атермического воздействия микроволнового излучения. На основе теоретического анализа ρс(Т) предложен новый способ увеличения с с повышением температуры измерения. В нем учитывается токопрохождение по металлическим шунтам, совмещенным с перпендикулярными к границе раздела металл–полупроводник дислокациями. Показано, что малое поперечное сечение металлических шунтов обусловливает реализацию большого потенциала сил зеркального изображения, превышающего исходную величину барьера Шоттки. В результате этого возникают обогащающие изгибы зон у торцов шунтов, реализуются диффузионная теория токопрохождения в контакте, а также зависимость величины ρс от подвижности электронов. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρс(Т) для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, совмещенных с металлическими шунтами. Показана возможность уменьшения с омических контактов к соединениям А³В⁵ и Si, подвергнутых атермической микроволновой обработке.
format	Article
author	Саченко, А.В. Беляев, А.Е. Болтовец, Н.С. Конакова, Р.В. Шеремет, В.Н.
spellingShingle	Саченко, А.В. Беляев, А.Е. Болтовец, Н.С. Конакова, Р.В. Шеремет, В.Н. Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet	Саченко, А.В. Беляев, А.Е. Болтовец, Н.С. Конакова, Р.В. Шеремет, В.Н.
author_sort	Саченко, А.В.
title	Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)
title_short	Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)
title_full	Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)
title_fullStr	Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)
title_full_unstemmed	Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)
title_sort	механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2013
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116724
citation_txt	Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) / А.В. Саченко, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 5-29. — Бібліогр.: 64 назв. — рос.
series	Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv	AT sačenkoav mehanizmyformirovaniâkontaktnogosoprotivleniâvomičeskihkontaktahsbolʹšojplotnostʹûdislokacijobzor AT belâevae mehanizmyformirovaniâkontaktnogosoprotivleniâvomičeskihkontaktahsbolʹšojplotnostʹûdislokacijobzor AT boltovecns mehanizmyformirovaniâkontaktnogosoprotivleniâvomičeskihkontaktahsbolʹšojplotnostʹûdislokacijobzor AT konakovarv mehanizmyformirovaniâkontaktnogosoprotivleniâvomičeskihkontaktahsbolʹšojplotnostʹûdislokacijobzor AT šeremetvn mehanizmyformirovaniâkontaktnogosoprotivleniâvomičeskihkontaktahsbolʹšojplotnostʹûdislokacijobzor
first_indexed	2023-10-18T20:28:14Z
last_indexed	2023-10-18T20:28:14Z
_version_	1796150279897350144

Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)

Репозитарії

Схожі ресурси