Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу

Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу

Наведено результати досліджень використання поруватих шарів SiOx, отриманих за допомогою термічного осадження у вакуумі під ковзним кутом, у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу (ППР). Характеристики таких плівок вивчено за допомогою оптичних та електронно-мікроскопічних методів, прод...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Вакарюк, Т.Є., Громовой, Ю.С., Данько, В.А., Дорожинський, Г.В., Зиньо, С.А., Індутний, І.З., Самойлов, А.В., Ушенін, Ю.В., Христосенко, Р.В., Шепелявий, П.Є.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116731
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу / Т.Є. Вакарюк, Ю.С. Громовой, В.А. Данько, Г.В. Дорожинський, С.А. Зиньо, І.З. Індутний, А.В. Самойлов, Ю.В. Ушенін, Р.В. Христосенко, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 89-95. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116731
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167312017-05-15T03:02:48Z Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу Вакарюк, Т.Є. Громовой, Ю.С. Данько, В.А. Дорожинський, Г.В. Зиньо, С.А. Індутний, І.З. Самойлов, А.В. Ушенін, Ю.В. Христосенко, Р.В. Шепелявий, П.Є. Наведено результати досліджень використання поруватих шарів SiOx, отриманих за допомогою термічного осадження у вакуумі під ковзним кутом, у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу (ППР). Характеристики таких плівок вивчено за допомогою оптичних та електронно-мікроскопічних методів, продемонстровано їх високу адсорбційну здатність, що дає змогу використовувати такі плівки як адсорбувальний шар в оптичних сенсорах. З’ясовано, що використання поруватих плівок SiOx забезпечує більший відгук на зміну середовища чим ППР-сенсори, порівняно з сенсорами, де використовують лише золоті плівки оптимальної товщини для певної довжини хвилі збуджувального ППР електромагнітного випромінювання. Показано шляхи подальшої оптимізації параметрів ППР-сенсорів для збільшення їх чутливості та селективності та, відповідно, розширення можливостей застосування. The use of porous SiOx layers, obtained by a vacuum thermal oblique deposition in the sensor based on surface plasmon resonance (SPR) was investigated. Characteristics of such films were studied by optical and electron microscopy techniques, it was demonstrated their high adsorption capacity, which allowed its use as an absorbent layer in optical sensors. It was found that the use of porous SiOx films provide greater response to changes in the environment over SPR sensor, compared with sensors, which use only the gold film with optimum thickness for a given wavelength of exciting SPR electromagnetic radiation. The ways of further optimization of the parameters of SPR sensors for increased sensitivity and selectivity, and, consequently, wider application, have been shown. 2013 Article Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу / Т.Є. Вакарюк, Ю.С. Громовой, В.А. Данько, Г.В. Дорожинський, С.А. Зиньо, І.З. Індутний, А.В. Самойлов, Ю.В. Ушенін, Р.В. Христосенко, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 89-95. — Бібліогр.: 8 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116731 535.394 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Наведено результати досліджень використання поруватих шарів SiOx, отриманих за допомогою термічного осадження у вакуумі під ковзним кутом, у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу (ППР). Характеристики таких плівок вивчено за допомогою оптичних та електронно-мікроскопічних методів, продемонстровано їх високу адсорбційну здатність, що дає змогу використовувати такі плівки як адсорбувальний шар в оптичних сенсорах. З’ясовано, що використання поруватих плівок SiOx забезпечує більший відгук на зміну середовища чим ППР-сенсори, порівняно з сенсорами, де використовують лише золоті плівки оптимальної товщини для певної довжини хвилі збуджувального ППР електромагнітного випромінювання. Показано шляхи подальшої оптимізації параметрів ППР-сенсорів для збільшення їх чутливості та селективності та, відповідно, розширення можливостей застосування.
format Article
author Вакарюк, Т.Є.
Громовой, Ю.С.
Данько, В.А.
Дорожинський, Г.В.
Зиньо, С.А.
Індутний, І.З.
Самойлов, А.В.
Ушенін, Ю.В.
Христосенко, Р.В.
Шепелявий, П.Є.
spellingShingle Вакарюк, Т.Є.
Громовой, Ю.С.
Данько, В.А.
Дорожинський, Г.В.
Зиньо, С.А.
Індутний, І.З.
Самойлов, А.В.
Ушенін, Ю.В.
Христосенко, Р.В.
Шепелявий, П.Є.
Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Вакарюк, Т.Є.
Громовой, Ю.С.
Данько, В.А.
Дорожинський, Г.В.
Зиньо, С.А.
Індутний, І.З.
Самойлов, А.В.
Ушенін, Ю.В.
Христосенко, Р.В.
Шепелявий, П.Є.
author_sort Вакарюк, Т.Є.
title Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу
title_short Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу
title_full Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу
title_fullStr Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу
title_full_unstemmed Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу
title_sort використання поруватих плівок siox у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2013
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116731
citation_txt Використання поруватих плівок SiOx у сенсорах на базі поверхневого плазмонного резонансу / Т.Є. Вакарюк, Ю.С. Громовой, В.А. Данько, Г.В. Дорожинський, С.А. Зиньо, І.З. Індутний, А.В. Самойлов, Ю.В. Ушенін, Р.В. Христосенко, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 89-95. — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT vakarûktê vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
AT gromovojûs vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
AT danʹkova vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
AT dorožinsʹkijgv vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
AT zinʹosa vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
AT índutnijíz vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
AT samojlovav vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
AT ušenínûv vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
AT hristosenkorv vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
AT šepelâvijpê vikoristannâporuvatihplívoksioxusensorahnabazípoverhnevogoplazmonnogorezonansu
first_indexed 2023-10-18T20:28:15Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:15Z
_version_ 1796150280642887680

Схожі ресурси