2025-02-23T14:57:27-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116737%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:57:27-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116737%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T14:57:27-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T14:57:27-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния

Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния

Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только пол...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Карась, Н.И.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Series:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116737
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-116737
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167372017-05-15T03:02:28Z Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Карась, Н.И. Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния. The influence of the oxide coating on the negative photoconductivity of macroporous silicon structures has been investigated. It is shown that with increasing oxide coating thickness from 3 to 15 nm negative photoconductivity decreases in absolute value. When the thickness of the oxide layer was 30 nm, there was only positive photoconductivity. This is due to compensation of the positive charge built-oxide negative charge of the «slow» surface levels on the surface of macroporous silicon. 2013 Article Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116737 621.315.592 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния.
format Article
author Карась, Н.И.
spellingShingle Карась, Н.И.
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Карась, Н.И.
author_sort Карась, Н.И.
title Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
title_short Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
title_full Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
title_fullStr Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
title_full_unstemmed Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
title_sort влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2013
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116737
citation_txt Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT karasʹni vliânieoksidnogopokrytiânaotricatelʹnuûfotoprovodimostʹvstrukturahmakroporistogokremniâ
first_indexed 2023-10-18T20:28:16Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:16Z
_version_ 1796150281281470464

Similar Items