Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только пол...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116737 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116737 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167372017-05-15T03:02:28Z Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Карась, Н.И. Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния. The influence of the oxide coating on the negative photoconductivity of macroporous silicon structures has been investigated. It is shown that with increasing oxide coating thickness from 3 to 15 nm negative photoconductivity decreases in absolute value. When the thickness of the oxide layer was 30 nm, there was only positive photoconductivity. This is due to compensation of the positive charge built-oxide negative charge of the «slow» surface levels on the surface of macroporous silicon. 2013 Article Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116737 621.315.592 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния. |
| format |
Article |
| author |
Карась, Н.И. |
| spellingShingle |
Карась, Н.И. Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Карась, Н.И. |
| author_sort |
Карась, Н.И. |
| title |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_short |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_full |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_fullStr |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_full_unstemmed |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_sort |
влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116737 |
| citation_txt |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT karasʹni vliânieoksidnogopokrytiânaotricatelʹnuûfotoprovodimostʹvstrukturahmakroporistogokremniâ |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:16Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:16Z |
| _version_ |
1796150281281470464 |