Электроны вблизи края графена
Для описания поведения 2D-электрона вблизи края графена необходимо знать граничные условия для эффективной (огибающей) волновой функции, подчиняющейся уравнениям типа Вейля-Дирака. Эти условия, выведенные из общих соображений, представляют собой линейную связь на компоненты спинора, составленного из...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | Волков, В.А., Загороднев, И.В. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116739 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Электроны вблизи края графена / В.А. Волков, И.В. Загороднев // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 5-9. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
за авторством: Рожанский, И.В., та інші
Опубліковано: (2009) -
Ультразвуковые исследования эффекта Яна-Теллера в кристалле ZnSe:Fe²⁺
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2009) -
Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2013) -
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009) -
Сверхпроводящие свойства новых гетерофуллеридов
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)