Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)

Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)

Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних та перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Данько, В.А., Індутний, І.З., Луканюк, М.В., Минько, В.І., Пономарьов, С.С., Шепелявий, П.Є., Юхимчук, В.О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116750
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд) / В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, С.С. Пономарьов, П.Є. Шепелявий, В.О. Юхимчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 44-57. — Бібліогр.: 42 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116750
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167502017-05-15T03:02:39Z Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд) Данько, В.А. Індутний, І.З. Луканюк, М.В. Минько, В.І. Пономарьов, С.С. Шепелявий, П.Є. Юхимчук, В.О. Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних та перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють як позитивні протравлювачі. Представлено переваги нових процесів над традиційними. Наведено приклади різноманітних мікрорельєфних структур, виготовлених з використанням нових технологій, та можливості їх застосування. Розглянуто фізичні механізми фотостимульованих структурних перетворень, що приводять до зміни розчинності плівок ХСН у селективних протравлювачах. The developed photolithographic processes based on reversible and transient photostimulated structural changes in annealed chalcogenide glass (ChG) layers have been presented. It has been shown that negativeaction etchants containing amines dissolve illuminated portions of annealed chalcogenide films, i.e., act as positive etchants. Advantages of the new processes over the traditional ones and examples of various microrelief structures produced using these new technologies as well as possibilities of their application have been shown. Physical mechanisms of photostimulated structural changes leading to changes in solubility of ChG films in selective etching solutions have been considered. 2015 Article Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд) / В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, С.С. Пономарьов, П.Є. Шепелявий, В.О. Юхимчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 44-57. — Бібліогр.: 42 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116750 535.421;621.793/.794 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних та перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють як позитивні протравлювачі. Представлено переваги нових процесів над традиційними. Наведено приклади різноманітних мікрорельєфних структур, виготовлених з використанням нових технологій, та можливості їх застосування. Розглянуто фізичні механізми фотостимульованих структурних перетворень, що приводять до зміни розчинності плівок ХСН у селективних протравлювачах.
format Article
author Данько, В.А.
Індутний, І.З.
Луканюк, М.В.
Минько, В.І.
Пономарьов, С.С.
Шепелявий, П.Є.
Юхимчук, В.О.
spellingShingle Данько, В.А.
Індутний, І.З.
Луканюк, М.В.
Минько, В.І.
Пономарьов, С.С.
Шепелявий, П.Є.
Юхимчук, В.О.
Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Данько, В.А.
Індутний, І.З.
Луканюк, М.В.
Минько, В.І.
Пономарьов, С.С.
Шепелявий, П.Є.
Юхимчук, В.О.
author_sort Данько, В.А.
title Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)
title_short Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)
title_full Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)
title_fullStr Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)
title_full_unstemmed Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)
title_sort фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у хсн (огляд)
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2015
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116750
citation_txt Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд) / В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, С.С. Пономарьов, П.Є. Шепелявий, В.О. Юхимчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 44-57. — Бібліогр.: 42 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT danʹkova fotolítografíânareversivnihtaperehídnihfotostimulʹovanihstrukturnihperetvorennâhuhsnoglâd
AT índutnijíz fotolítografíânareversivnihtaperehídnihfotostimulʹovanihstrukturnihperetvorennâhuhsnoglâd
AT lukanûkmv fotolítografíânareversivnihtaperehídnihfotostimulʹovanihstrukturnihperetvorennâhuhsnoglâd
AT minʹkoví fotolítografíânareversivnihtaperehídnihfotostimulʹovanihstrukturnihperetvorennâhuhsnoglâd
AT ponomarʹovss fotolítografíânareversivnihtaperehídnihfotostimulʹovanihstrukturnihperetvorennâhuhsnoglâd
AT šepelâvijpê fotolítografíânareversivnihtaperehídnihfotostimulʹovanihstrukturnihperetvorennâhuhsnoglâd
AT ûhimčukvo fotolítografíânareversivnihtaperehídnihfotostimulʹovanihstrukturnihperetvorennâhuhsnoglâd
first_indexed 2023-10-18T20:28:17Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:17Z
_version_ 1796150282240917504

Схожі ресурси