Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд)
Описано розроблені фотолітографічні процеси на базі реверсивних та перехідних фотоструктурних змін у відпалених плівках халькогенідних скловидних напівпровідників (ХСН). Показано, що негативні протравлювачі на основі амінів розчиняють експоновані ділянки відпалених халькогенідних плівок, тобто діють...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116750 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотолітографія на реверсивних та перехідних фотостимульованих структурних перетвореннях у ХСН (огляд) / В.А. Данько, І.З. Індутний, М.В. Луканюк, В.І. Минько, С.С. Пономарьов, П.Є. Шепелявий, В.О. Юхимчук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 44-57. — Бібліогр.: 42 назв. — укр. |