2025-02-23T15:07:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116753%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:07:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-116753%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:07:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T15:07:03-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред
В работе исследованы процессы электронно-лучевой и голографической записи поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред. Исследованы оптические свойства слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. Спектральные зав...
Saved in:
Main Authors: | , , , , , , , , , , |
---|---|
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
Series: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116753 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
id |
irk-123456789-116753 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1167532017-05-15T03:02:50Z Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред Паюк, А.П. Мешалкин, А.Ю. Стронский, А.В. Акимова, Е.А. Сергеев, С.А. Абашкин, В.Г. Литвин, О.С. Олексенко, П.Ф. Присакарь, А.М. Тридух, Г.М. Сенченко, Е.В. В работе исследованы процессы электронно-лучевой и голографической записи поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред. Исследованы оптические свойства слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. Спектральные зависимости показателя преломления проанализированы в рамках одноосцилляторной модели. С использованием зависимости Тауца определены значения ширины оптической запрещенной зоны для слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. С помощью электронно-лучевой и голографической записи на многослойных наноструктурах Ge₅As₃₇S₅₈–Se получены дифракционные решетки. Также электронным лучом попиксельно было записано изображение герба Украины, размер изображения составлял 512×512 пикселей (размер одного пикселя составлял ~2 мкм). Многослойные наноструктуры Ge₅As₃₇S₅₈–Se перспективны как регистрирующие среды для записи голограммных дифракционных решеток и других оптических элементов. Processes of e-beam and holographic recording of surface-relief structures by using the Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures as registering media have been studied. Optical properties of Ge₅As₃₇S₅₈, Se layers and Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures have been also investigated. Spectral dependences of refractive index have been analyzed within the frames of single oscillator model. Values of optical band gap for Ge₅As₃₇S₅₈, Se layers and Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures have been determined from the Tauc dependence. Using the e-beam and holographic recording on Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures the diffraction gratings have been obtained. The image of state emblem of Ukraine was also obtained using the e-beam recording. The image size consisted of 512×512 pixels (size of one pixel was ~2 μm). The Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures as registering media are perspective for direct recording the holographic diffraction gratings and other optical elements. 2015 Article Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред / А.П. Паюк, А.Ю. Мешалкин, А.В. Стронский, Е.А. Акимова, С.А. Сергеев, В.Г. Абашкин, О.С. Литвин, П.Ф. Олексенко, А.М. Присакарь, Г.М. Тридух, Е.В. Сенченко с// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 79-86. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116753 681.785.552 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
description |
В работе исследованы процессы электронно-лучевой и голографической записи поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред. Исследованы оптические свойства слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. Спектральные зависимости показателя преломления проанализированы в рамках одноосцилляторной модели. С использованием зависимости Тауца определены значения ширины оптической запрещенной зоны для слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. С помощью электронно-лучевой и голографической записи на многослойных наноструктурах Ge₅As₃₇S₅₈–Se получены дифракционные решетки. Также электронным лучом попиксельно было записано изображение герба Украины, размер изображения составлял 512×512 пикселей (размер одного пикселя составлял ~2 мкм). Многослойные наноструктуры Ge₅As₃₇S₅₈–Se перспективны как регистрирующие среды для записи голограммных дифракционных решеток и других оптических элементов. |
format |
Article |
author |
Паюк, А.П. Мешалкин, А.Ю. Стронский, А.В. Акимова, Е.А. Сергеев, С.А. Абашкин, В.Г. Литвин, О.С. Олексенко, П.Ф. Присакарь, А.М. Тридух, Г.М. Сенченко, Е.В. |
spellingShingle |
Паюк, А.П. Мешалкин, А.Ю. Стронский, А.В. Акимова, Е.А. Сергеев, С.А. Абашкин, В.Г. Литвин, О.С. Олексенко, П.Ф. Присакарь, А.М. Тридух, Г.М. Сенченко, Е.В. Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
author_facet |
Паюк, А.П. Мешалкин, А.Ю. Стронский, А.В. Акимова, Е.А. Сергеев, С.А. Абашкин, В.Г. Литвин, О.С. Олексенко, П.Ф. Присакарь, А.М. Тридух, Г.М. Сенченко, Е.В. |
author_sort |
Паюк, А.П. |
title |
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред |
title_short |
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред |
title_full |
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред |
title_fullStr |
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред |
title_full_unstemmed |
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред |
title_sort |
электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур ge₅as₃₇s₅₈–se как регистрирующих сред |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2015 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116753 |
citation_txt |
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред / А.П. Паюк, А.Ю. Мешалкин, А.В. Стронский, Е.А. Акимова, С.А. Сергеев, В.Г. Абашкин, О.С. Литвин, П.Ф. Олексенко, А.М. Присакарь, Г.М. Тридух, Е.В. Сенченко с// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 79-86. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. |
series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
work_keys_str_mv |
AT paûkap élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT mešalkinaû élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT stronskijav élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT akimovaea élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT sergeevsa élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT abaškinvg élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT litvinos élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT oleksenkopf élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT prisakarʹam élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT triduhgm élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred AT senčenkoev élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred |
first_indexed |
2023-10-18T20:28:18Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:28:18Z |
_version_ |
1796150282559684608 |