Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред

Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред

В работе исследованы процессы электронно-лучевой и голографической записи поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред. Исследованы оптические свойства слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. Спектральные зав...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Паюк, А.П., Мешалкин, А.Ю., Стронский, А.В., Акимова, Е.А., Сергеев, С.А., Абашкин, В.Г., Литвин, О.С., Олексенко, П.Ф., Присакарь, А.М., Тридух, Г.М., Сенченко, Е.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116753
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред / А.П. Паюк, А.Ю. Мешалкин, А.В. Стронский, Е.А. Акимова, С.А. Сергеев, В.Г. Абашкин, О.С. Литвин, П.Ф. Олексенко, А.М. Присакарь, Г.М. Тридух, Е.В. Сенченко с// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 79-86. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116753
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167532017-05-15T03:02:50Z Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред Паюк, А.П. Мешалкин, А.Ю. Стронский, А.В. Акимова, Е.А. Сергеев, С.А. Абашкин, В.Г. Литвин, О.С. Олексенко, П.Ф. Присакарь, А.М. Тридух, Г.М. Сенченко, Е.В. В работе исследованы процессы электронно-лучевой и голографической записи поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред. Исследованы оптические свойства слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. Спектральные зависимости показателя преломления проанализированы в рамках одноосцилляторной модели. С использованием зависимости Тауца определены значения ширины оптической запрещенной зоны для слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. С помощью электронно-лучевой и голографической записи на многослойных наноструктурах Ge₅As₃₇S₅₈–Se получены дифракционные решетки. Также электронным лучом попиксельно было записано изображение герба Украины, размер изображения составлял 512×512 пикселей (размер одного пикселя составлял ~2 мкм). Многослойные наноструктуры Ge₅As₃₇S₅₈–Se перспективны как регистрирующие среды для записи голограммных дифракционных решеток и других оптических элементов. Processes of e-beam and holographic recording of surface-relief structures by using the Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures as registering media have been studied. Optical properties of Ge₅As₃₇S₅₈, Se layers and Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures have been also investigated. Spectral dependences of refractive index have been analyzed within the frames of single oscillator model. Values of optical band gap for Ge₅As₃₇S₅₈, Se layers and Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures have been determined from the Tauc dependence. Using the e-beam and holographic recording on Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures the diffraction gratings have been obtained. The image of state emblem of Ukraine was also obtained using the e-beam recording. The image size consisted of 512×512 pixels (size of one pixel was ~2 μm). The Ge₅As₃₇S₅₈–Se multilayer nanostructures as registering media are perspective for direct recording the holographic diffraction gratings and other optical elements. 2015 Article Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред / А.П. Паюк, А.Ю. Мешалкин, А.В. Стронский, Е.А. Акимова, С.А. Сергеев, В.Г. Абашкин, О.С. Литвин, П.Ф. Олексенко, А.М. Присакарь, Г.М. Тридух, Е.В. Сенченко с// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 79-86. — Бібліогр.: 27 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116753 681.785.552 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description В работе исследованы процессы электронно-лучевой и голографической записи поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред. Исследованы оптические свойства слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. Спектральные зависимости показателя преломления проанализированы в рамках одноосцилляторной модели. С использованием зависимости Тауца определены значения ширины оптической запрещенной зоны для слоев Ge₅As₃₇S₅₈, Se и многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se. С помощью электронно-лучевой и голографической записи на многослойных наноструктурах Ge₅As₃₇S₅₈–Se получены дифракционные решетки. Также электронным лучом попиксельно было записано изображение герба Украины, размер изображения составлял 512×512 пикселей (размер одного пикселя составлял ~2 мкм). Многослойные наноструктуры Ge₅As₃₇S₅₈–Se перспективны как регистрирующие среды для записи голограммных дифракционных решеток и других оптических элементов.
format Article
author Паюк, А.П.
Мешалкин, А.Ю.
Стронский, А.В.
Акимова, Е.А.
Сергеев, С.А.
Абашкин, В.Г.
Литвин, О.С.
Олексенко, П.Ф.
Присакарь, А.М.
Тридух, Г.М.
Сенченко, Е.В.
spellingShingle Паюк, А.П.
Мешалкин, А.Ю.
Стронский, А.В.
Акимова, Е.А.
Сергеев, С.А.
Абашкин, В.Г.
Литвин, О.С.
Олексенко, П.Ф.
Присакарь, А.М.
Тридух, Г.М.
Сенченко, Е.В.
Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Паюк, А.П.
Мешалкин, А.Ю.
Стронский, А.В.
Акимова, Е.А.
Сергеев, С.А.
Абашкин, В.Г.
Литвин, О.С.
Олексенко, П.Ф.
Присакарь, А.М.
Тридух, Г.М.
Сенченко, Е.В.
author_sort Паюк, А.П.
title Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред
title_short Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред
title_full Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред
title_fullStr Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред
title_full_unstemmed Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред
title_sort электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур ge₅as₃₇s₅₈–se как регистрирующих сред
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2015
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116753
citation_txt Электронно-лучевая и голографическая запись поверхностно-рельефных структур с использованием многослойных наноструктур Ge₅As₃₇S₅₈–Se как регистрирующих сред / А.П. Паюк, А.Ю. Мешалкин, А.В. Стронский, Е.А. Акимова, С.А. Сергеев, В.Г. Абашкин, О.С. Литвин, П.Ф. Олексенко, А.М. Присакарь, Г.М. Тридух, Е.В. Сенченко с// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 79-86. — Бібліогр.: 27 назв. — рос.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT paûkap élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT mešalkinaû élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT stronskijav élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT akimovaea élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT sergeevsa élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT abaškinvg élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT litvinos élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT oleksenkopf élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT prisakarʹam élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT triduhgm élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
AT senčenkoev élektronnolučevaâigolografičeskaâzapisʹpoverhnostnorelʹefnyhstruktursispolʹzovaniemmnogoslojnyhnanostrukturge5as37s58sekakregistriruûŝihsred
first_indexed 2023-10-18T20:28:18Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:18Z
_version_ 1796150282559684608

Схожі ресурси