Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів

Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів

У даній роботі наведено можливості використання інтерференційної літографії з фоторезистами на основі халькогенідних скловидних напівпровідників у комплексі з термічною обробкою для формування однорідних плазмонних структур з необхідними характеристиками на підкладках великої площі. У результаті дос...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автори: Данько, В.А., Дмитрук, М.Л., Індутний, І.З., Мамикін, С.В., Минько, В.І., Литвин, П.М., Луканюк, М.В., Шепелявий, П.Є.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116757
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів / В.А. Данько, М.Л. Дмитрук, І.З. Індутний, С.В. Мамикін, В.І. Минько, П.М. Литвин, М.В. Луканюк, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 109-116. — Бібліогр.: 24 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116757
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167572017-05-15T03:02:46Z Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів Данько, В.А. Дмитрук, М.Л. Індутний, І.З. Мамикін, С.В. Минько, В.І. Литвин, П.М. Луканюк, М.В. Шепелявий, П.Є. У даній роботі наведено можливості використання інтерференційної літографії з фоторезистами на основі халькогенідних скловидних напівпровідників у комплексі з термічною обробкою для формування однорідних плазмонних структур з необхідними характеристиками на підкладках великої площі. У результаті досліджень було підтверджено наявність поверхневих плазмон-поляритонних і локальних поверхневих плазмонних резонансів на виготовлених зразках, які можуть контролюватися в широких межах вибором геометричних параметрів структур і технологічними режимами їх виготовлення. This paper shows the possibility of using interference lithography with photoresists based on chalcogenide glassy semiconductors in combination with heat treatment to form homogeneous plasmon structures with desired characteristics for large area substrates. As a result of our investigations, it has been confirmed the presence of the surface plasmon polariton and local surface plasmon resonances in the prepared samples that can be controlled in a wide range by selection of geometric parameters of structures and technological modes of their production. 2015 Article Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів / В.А. Данько, М.Л. Дмитрук, І.З. Індутний, С.В. Мамикін, В.І. Минько, П.М. Литвин, М.В. Луканюк, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 109-116. — Бібліогр.: 24 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116757 535.394.421; 621.793/.794 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description У даній роботі наведено можливості використання інтерференційної літографії з фоторезистами на основі халькогенідних скловидних напівпровідників у комплексі з термічною обробкою для формування однорідних плазмонних структур з необхідними характеристиками на підкладках великої площі. У результаті досліджень було підтверджено наявність поверхневих плазмон-поляритонних і локальних поверхневих плазмонних резонансів на виготовлених зразках, які можуть контролюватися в широких межах вибором геометричних параметрів структур і технологічними режимами їх виготовлення.
format Article
author Данько, В.А.
Дмитрук, М.Л.
Індутний, І.З.
Мамикін, С.В.
Минько, В.І.
Литвин, П.М.
Луканюк, М.В.
Шепелявий, П.Є.
spellingShingle Данько, В.А.
Дмитрук, М.Л.
Індутний, І.З.
Мамикін, С.В.
Минько, В.І.
Литвин, П.М.
Луканюк, М.В.
Шепелявий, П.Є.
Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Данько, В.А.
Дмитрук, М.Л.
Індутний, І.З.
Мамикін, С.В.
Минько, В.І.
Литвин, П.М.
Луканюк, М.В.
Шепелявий, П.Є.
author_sort Данько, В.А.
title Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів
title_short Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів
title_full Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів
title_fullStr Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів
title_full_unstemmed Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів
title_sort формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2015
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116757
citation_txt Формування субмікронних періодичних плазмонних структур великої площі методом інтерференційної літографії з використанням вакуумних фоторезистів / В.А. Данько, М.Л. Дмитрук, І.З. Індутний, С.В. Мамикін, В.І. Минько, П.М. Литвин, М.В. Луканюк, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 109-116. — Бібліогр.: 24 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT danʹkova formuvannâsubmíkronnihperíodičnihplazmonnihstrukturvelikoíploŝímetodomínterferencíjnoílítografíízvikoristannâmvakuumnihfotorezistív
AT dmitrukml formuvannâsubmíkronnihperíodičnihplazmonnihstrukturvelikoíploŝímetodomínterferencíjnoílítografíízvikoristannâmvakuumnihfotorezistív
AT índutnijíz formuvannâsubmíkronnihperíodičnihplazmonnihstrukturvelikoíploŝímetodomínterferencíjnoílítografíízvikoristannâmvakuumnihfotorezistív
AT mamikínsv formuvannâsubmíkronnihperíodičnihplazmonnihstrukturvelikoíploŝímetodomínterferencíjnoílítografíízvikoristannâmvakuumnihfotorezistív
AT minʹkoví formuvannâsubmíkronnihperíodičnihplazmonnihstrukturvelikoíploŝímetodomínterferencíjnoílítografíízvikoristannâmvakuumnihfotorezistív
AT litvinpm formuvannâsubmíkronnihperíodičnihplazmonnihstrukturvelikoíploŝímetodomínterferencíjnoílítografíízvikoristannâmvakuumnihfotorezistív
AT lukanûkmv formuvannâsubmíkronnihperíodičnihplazmonnihstrukturvelikoíploŝímetodomínterferencíjnoílítografíízvikoristannâmvakuumnihfotorezistív
AT šepelâvijpê formuvannâsubmíkronnihperíodičnihplazmonnihstrukturvelikoíploŝímetodomínterferencíjnoílítografíízvikoristannâmvakuumnihfotorezistív
first_indexed 2023-10-18T20:28:18Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:18Z
_version_ 1796150282987503616

Схожі ресурси