Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку п...
Збережено в:
| Дата: | 2015 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116759 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 125-131. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку показано, що при глибині макропор від 100 до 200 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду між макропорами майже не змінюється. Проаналізовано розподіл безрозмірної концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду між макропорами та у монокристалічному шарі при зменшенні товщини монокристалічного шару та при швидкостях поверхневої рекомбінації від 0,1 до 100 м/с. |
|---|