Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка

Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка

Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку п...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2015
Автор: Онищенко, В.Ф.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2015
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116759
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 125-131. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116759
record_format dspace
spelling irk-123456789-1167592017-05-15T03:02:47Z Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка Онищенко, В.Ф. Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку показано, що при глибині макропор від 100 до 200 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду між макропорами майже не змінюється. Проаналізовано розподіл безрозмірної концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду між макропорами та у монокристалічному шарі при зменшенні товщини монокристалічного шару та при швидкостях поверхневої рекомбінації від 0,1 до 100 м/с. Distribution of non-equilibrium minority charge carrier concentration in macroporous silicon structures has been investigated. It has been shown that non-equilibrium charge carrier concentration sharply decreases both between pores and in monocrystalline layer under pores with increasing the macropore depth to 10 μm. Via calculations, it has been shown that the concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores hardly changes when the depth of macropores ranges from 100 to 200 μm. The authors have analyzed the distribution of dimensionless concentration of non-equilibrium charge carriers between macropores and in monocrystalline layer when the thickness of the monocrystalline layer is decreased and the values of the surface recombination velocity varies from 0.1 to 100 m/s. 2015 Article Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 125-131. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116759 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Досліджено розподіл концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду в структурах макропористого кремнію. Показано, що при збільшенні глибини макропор до 10 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду різко зменшується як між порами, так і в монокристалічному шарі під порами. Шляхом розрахунку показано, що при глибині макропор від 100 до 200 мкм концентрація нерівноважних носіїв заряду між макропорами майже не змінюється. Проаналізовано розподіл безрозмірної концентрації нерівноважних неосновних носіїв заряду між макропорами та у монокристалічному шарі при зменшенні товщини монокристалічного шару та при швидкостях поверхневої рекомбінації від 0,1 до 100 м/с.
format Article
author Онищенко, В.Ф.
spellingShingle Онищенко, В.Ф.
Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
author_facet Онищенко, В.Ф.
author_sort Онищенко, В.Ф.
title Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
title_short Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
title_full Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
title_fullStr Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
title_full_unstemmed Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
title_sort розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2015
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116759
citation_txt Розподіл нерівноважних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію при їх однорідній генерації по об’єму зразка / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2015. — Вип. 50. — С. 125-131. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
series Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
work_keys_str_mv AT oniŝenkovf rozpodílnerívnovažnihnosíívzarâduvstrukturímakroporistogokremníûpriíhodnorídníjgeneracíípoobêmuzrazka
first_indexed 2023-10-18T20:28:18Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:18Z
_version_ 1796150283203510272

Схожі ресурси