Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si

Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1–xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии для области температур...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2008
Автор:	Хижный, В.И.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2008
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116774
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si / В.И. Хижный // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 1. — С. 79-85. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-116774
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1167742017-05-16T03:02:38Z Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si Хижный, В.И. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1–xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии для области температур 4,2–150 К связан с наличием областей пространственного заряда в структуре и кулоновским механизмом возбуждения продольных акустических волн электрическим полем, нормальным к поверхности планарной структуры. Изучено влияние содержания атомов Ge x в когерентно- напряженных слоях SiGe на амплитуду сигнала конверсии. Обнаружена высокая чувствительной величины эффекта к изменению индекса x в интервале 0,1 < x < 0,13. Обсуждается влияние возможной пьезоактивности слоев SiGe, а также зарядов на глубоких ловушках вблизи границ раздела Si/SiGe/Si на величину сигнала конверсии. Методом високочастотної гібридної акустичної спектроскопії на частоті ~ 225 МГц вивчено температурну залежність ефективності лінійної генерації звукових хвиль електричними полями в модуляц ійно-легованих гетероструктурах Si1–xGex/Si. Показано, що сигнал конверсії для області температур 4,2–150 К пов’язаний з наявністю областей просторового заряду в структурі й кулонівським механізмом порушення поздовжніх акустичних хвиль електричним полем, нормальним до поверхні планарної структури. Вивчено вплив вмісту атомів Ge x у когерентно-напружених шарах SiGe на амплітуду сигналу конверсії. Виявлено високу чутливість величини ефекту до зміни індексу x в інтервал і 0,1 < x < 0,13. Обговорюється вплив можливої п’єзоактивності шарів SiGe, а також зарядів на глибоких пастках поблизу межи поділу Si/SiGe/Si на величину сигналу конверсії. The temperature dependence of the efficiency of acoustic wave linear generation by electric fields in modulation-doped Si1–xGex/Si heterostructures has been studied by the HF-hybrid acoustic spectroscopic method at a frequency of ~ 225 MHz. It is shown that the conversion signal at temperatures ranged from 4,2 to 150 K is associated with the existence of space-charge regions in the structure and the Coulomb mechanism of electric excitation of acoustic waves. The effect of Ge atom content, x, in coherence-stressed SiGe layers on the conversion signal amplitude is investigated. The effect is found to be very sensitive to variations of x in the interval 0.1 < x < 0.13. The influence of some possible piezoactivity of the SiGe layers and the changes on deep traps in the vicinity of Si/SiGe/Si interfaces on the conversion signal is discussed. 2008 Article Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si / В.И. Хижный // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 1. — С. 79-85. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.50.Rb;73.61.Cw;73.50.Mx http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116774 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
spellingShingle	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Хижный, В.И. Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si Физика низких температур
description	Методом высокочастотной гибридной акустической спектроскопии на частоте ~ 225 МГц изучена температурная зависимость эффективности линейной генерации звуковых волн электрическими полями в модуляционно-легированных гетероструктурах Si1–xGex /Si. Показано, что сигнал конверсии для области температур 4,2–150 К связан с наличием областей пространственного заряда в структуре и кулоновским механизмом возбуждения продольных акустических волн электрическим полем, нормальным к поверхности планарной структуры. Изучено влияние содержания атомов Ge x в когерентно- напряженных слоях SiGe на амплитуду сигнала конверсии. Обнаружена высокая чувствительной величины эффекта к изменению индекса x в интервале 0,1 < x < 0,13. Обсуждается влияние возможной пьезоактивности слоев SiGe, а также зарядов на глубоких ловушках вблизи границ раздела Si/SiGe/Si на величину сигнала конверсии.
format	Article
author	Хижный, В.И.
author_facet	Хижный, В.И.
author_sort	Хижный, В.И.
title	Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
title_short	Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
title_full	Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
title_fullStr	Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
title_full_unstemmed	Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
title_sort	электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах sige/si
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2008
topic_facet	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116774
citation_txt	Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si / В.И. Хижный // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 1. — С. 79-85. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT hižnyjvi élektroakustičeskaâkonversiâvmodulâcionnolegirovannyhgeterostrukturahsigesi
first_indexed	2023-10-18T20:28:21Z
last_indexed	2023-10-18T20:28:21Z
_version_	1796150284807831552

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si

Репозитарії

Схожі ресурси