Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації
Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі...
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116793 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 158-162. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі фотоносіїв заряду в макропористому кремнії, якщо він освітлюється світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм. Перший максимум розподілу фотодірок у макропористому кремнії знаходиться в макропористому шарі, другий максимум – у монокристалічній підкладці. Також було показано існування одного максимуму розподілу фотоносіїв у макропористому кремнії, який знаходиться в монокристалічній підкладці, при освітленні світлом довжиною хвилі 1,05 мкм. |
---|