Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації

Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автор: Онищенко, В.Ф.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2016
Назва видання:Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116793
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 158-162. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі фотоносіїв заряду в макропористому кремнії, якщо він освітлюється світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм. Перший максимум розподілу фотодірок у макропористому кремнії знаходиться в макропористому шарі, другий максимум – у монокристалічній підкладці. Також було показано існування одного максимуму розподілу фотоносіїв у макропористому кремнії, який знаходиться в монокристалічній підкладці, при освітленні світлом довжиною хвилі 1,05 мкм.