Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації
Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2016
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116793 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 158-162. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116793 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167932017-05-16T03:02:44Z Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації Онищенко, В.Ф. Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі фотоносіїв заряду в макропористому кремнії, якщо він освітлюється світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм. Перший максимум розподілу фотодірок у макропористому кремнії знаходиться в макропористому шарі, другий максимум – у монокристалічній підкладці. Також було показано існування одного максимуму розподілу фотоносіїв у макропористому кремнії, який знаходиться в монокристалічній підкладці, при освітленні світлом довжиною хвилі 1,05 мкм. The numerical calculation of the photohole distribution in macroporous silicon when exposing to light with the wavelengths 0.95, 1.05 μm has been performed. The calculation has been performed for macroporous silicon with various depths of macropores and various thicknesses of the single-crystal substrates. It has been shown that there are two maxima in the distribution of photocarriers in macroporous silicon if it is exposed to light with the wavelength 0.95 μm. The first maximum of photohole distribution in macroporous silicon is located in the macroporous layer, the second maximum – in the single-crystal substrate. It has been also shown that there is one maximum in the photocarrier distribution in macroporous silicon that are located in the single-crystal substrate when exposing to light with the wavelength 1.05 μm. 2016 Article Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 158-162. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116793 621.315.592 uk Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Виконано чисельний розрахунок розподілу фотодірок у макропористому кремнії при освітленні світлом з довжинами хвиль 0,95 та 1,05 мкм. Розрахунки проведено для макропористого кремнію з різною глибиною макропор та різною товщиною монокристалічної підкладки. Показано, що існує два максимуми в розподілі фотоносіїв заряду в макропористому кремнії, якщо він освітлюється світлом з довжиною хвилі 0,95 мкм. Перший максимум розподілу фотодірок у макропористому кремнії знаходиться в макропористому шарі, другий максимум – у монокристалічній підкладці. Також було показано існування одного максимуму розподілу фотоносіїв у макропористому кремнії, який знаходиться в монокристалічній підкладці, при освітленні світлом довжиною хвилі 1,05 мкм. |
| format |
Article |
| author |
Онищенко, В.Ф. |
| spellingShingle |
Онищенко, В.Ф. Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Онищенко, В.Ф. |
| author_sort |
Онищенко, В.Ф. |
| title |
Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_short |
Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_full |
Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_fullStr |
Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_full_unstemmed |
Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| title_sort |
розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2016 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116793 |
| citation_txt |
Розподіл фотоносіїв у макропористому кремнії при їх неоднорідній генерації / В.Ф. Онищенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 158-162. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT oniŝenkovf rozpodílfotonosíívumakroporistomukremníípriíhneodnorídníjgeneracíí |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:23Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:23Z |
| _version_ |
1796150287052832768 |