Структура, намагниченность и низкотемпературный импедансный отклик поликристаллов InSe, интеркалированных никелем
Разработана твердофазная механохимическая технология получения поликристаллов InSе, интеркалированных Ni до 1,25 ат. %. Рентгеноструктурный и рентгенофазный анализы полученных образцов NixInSe подтвердили их гомогенность и показали немонотонную зависимость изменения параметра решетки InSe вдоль оси...
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2012
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116833 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Структура, намагниченность и низкотемпературный импедансный отклик поликристаллов InSe, интеркалированных никелем / И.М. Стахира, Н.К. Товстюк, В.Л. Фоменко, И.И. Григорчак, А.К. Борысюк, Б.А. Середюк // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 1. — С. 69-75. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Разработана твердофазная механохимическая технология получения поликристаллов InSе, интеркалированных Ni до 1,25 ат. %. Рентгеноструктурный и рентгенофазный анализы полученных образцов
NixInSe подтвердили их гомогенность и показали немонотонную зависимость изменения параметра решетки InSe вдоль оси, перпендикулярной плоскости слоев, от концентрации внедренного Ni. Анализ
низкотемпературного (77 К) импедансного отклика в частотном интервале 10⁻³–10⁶ Гц обнаружил хорошую корреляцию характера изменений расстояния между слоями и зонной проводимости с ростом концентрации гостевого никеля и их несовпадение с Ni-концентрационной зависимостью удельной намагниченности, которая, в частности, претерпевает аномальное увеличение при х ~ 1. Причина такого
поведения объяснена в рамках построенной теоретической модели, которая одновременно вскрыла механизм увеличения вклада в проводимость концентрации свободных электронов — гибридизацию электронных орбиталей гостевого никеля и слоев матрицы. |
---|