Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте

• Дата: 2016
• Автори: Чернышов, Н.Н., Слипченко, Н.И., Писаренко, В.М., Алкхавалдех, М., Слюсаренко, А.А., Левченко, Е.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
• Назва видання: Журнал физики и инженерии поверхности
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116931
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, В.М. Писаренко, М. Алкхавалдех, А.А. Слюсаренко, Е.В. Левченко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 135-139. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

В статье изучен 2D полупроводник, состоящий из тяжелых дырок и легких электронов. Ба-зовым условием является то, что электроны квантуются электромагнитным полем, а дырки остаются классическими. Предполагается, что взаимодействие между компонентами слабо или отсутствует. Используется кинетическое уравнение для дырок, которые сталкиваются с квантующими электронами. Установлено, что сопротивление и соответствующая поправка к рассеивающей проводимости σxx не исчезают при нулевой температуре из-за влияния уровней Ландау. Эта поправка возникает, когда уровень Ферми пересекает уровень Ландау. Найдены пределы применения кинетического уравнения и рассмотрено явление кинетической памяти, когда частицы многократно возвращаются к своим местам встречи.