Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте

В статье изучен 2D полупроводник, состоящий из тяжелых дырок и легких электронов. Ба-зовым условием является то, что электроны квантуются электромагнитным полем, а дырки остаются классическими. Предполагается, что взаимодействие между компонентами слабо или отсутствует. Используется кинетическое ура...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2016
Автори:	Чернышов, Н.Н., Слипченко, Н.И., Писаренко, В.М., Алкхавалдех, М., Слюсаренко, А.А., Левченко, Е.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Назва видання:	Журнал физики и инженерии поверхности
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116931
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, В.М. Писаренко, М. Алкхавалдех, А.А. Слюсаренко, Е.В. Левченко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 135-139. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-116931
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1169312017-05-19T16:14:38Z Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте Чернышов, Н.Н. Слипченко, Н.И. Писаренко, В.М. Алкхавалдех, М. Слюсаренко, А.А. Левченко, Е.В. В статье изучен 2D полупроводник, состоящий из тяжелых дырок и легких электронов. Ба-зовым условием является то, что электроны квантуются электромагнитным полем, а дырки остаются классическими. Предполагается, что взаимодействие между компонентами слабо или отсутствует. Используется кинетическое уравнение для дырок, которые сталкиваются с квантующими электронами. Установлено, что сопротивление и соответствующая поправка к рассеивающей проводимости σxx не исчезают при нулевой температуре из-за влияния уровней Ландау. Эта поправка возникает, когда уровень Ферми пересекает уровень Ландау. Найдены пределы применения кинетического уравнения и рассмотрено явление кинетической памяти, когда частицы многократно возвращаются к своим местам встречи. У статті вивчено 2D напівпровідник, що складається з важких дірок та легких електронів. Базовою умовою є те, що електрони квантуються електромагнітним полем, а дірки залиша-ються класичними. Передбачається, що взаємодія між компонентами слаба або відсутня. Використовується кінетичне рівняння для дірок, які стикаються з квантуючими електронами. Встановлено, що опір та відповідна поправка до розсіювальної провідності σxx не зникають при нульовій температурі через вплив рівнів Ландау. Ця поправка виникає, коли рівень Фермі перетинає рівень Ландау. Знайдені межі застосування кінетичного рівняння і розглянуто явище кінетичної пам’яті, коли частинки багаторазово повертаються до своїх місць зустрічі. The paper studies a 2D semiconductor consisting of heavy holes and light electrons. The basic condition is that the electrons are quantized by an electromagnetic field, and the holes are classic. It is assumed that the interaction between the components is weak or absent. The paper uses the kinetic equation for the holes that encounter with the quantizing electrons. It is found that the re-sistance and corresponding amendment to the scattering conductivity σxx do not disappear at zero temperature due to the influence of the Landau levels. This amendment arises when the Fermi level crosses the Landau level. The limits of applying the kinetic equation are found and the phenom-enon of kinetic memory is considered when the particles repeatedly return to their venues. 2016 Article Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, В.М. Писаренко, М. Алкхавалдех, А.А. Слюсаренко, Е.В. Левченко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 135-139. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116931 621.039.05 ru Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
description	В статье изучен 2D полупроводник, состоящий из тяжелых дырок и легких электронов. Ба-зовым условием является то, что электроны квантуются электромагнитным полем, а дырки остаются классическими. Предполагается, что взаимодействие между компонентами слабо или отсутствует. Используется кинетическое уравнение для дырок, которые сталкиваются с квантующими электронами. Установлено, что сопротивление и соответствующая поправка к рассеивающей проводимости σxx не исчезают при нулевой температуре из-за влияния уровней Ландау. Эта поправка возникает, когда уровень Ферми пересекает уровень Ландау. Найдены пределы применения кинетического уравнения и рассмотрено явление кинетической памяти, когда частицы многократно возвращаются к своим местам встречи.
format	Article
author	Чернышов, Н.Н. Слипченко, Н.И. Писаренко, В.М. Алкхавалдех, М. Слюсаренко, А.А. Левченко, Е.В.
spellingShingle	Чернышов, Н.Н. Слипченко, Н.И. Писаренко, В.М. Алкхавалдех, М. Слюсаренко, А.А. Левченко, Е.В. Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте Журнал физики и инженерии поверхности
author_facet	Чернышов, Н.Н. Слипченко, Н.И. Писаренко, В.М. Алкхавалдех, М. Слюсаренко, А.А. Левченко, Е.В.
author_sort	Чернышов, Н.Н.
title	Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте
title_short	Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте
title_full	Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте
title_fullStr	Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте
title_full_unstemmed	Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте
title_sort	проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate	2016
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116931
citation_txt	Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, В.М. Писаренко, М. Алкхавалдех, А.А. Слюсаренко, Е.В. Левченко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 135-139. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
series	Журнал физики и инженерии поверхности
work_keys_str_mv	AT černyšovnn provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT slipčenkoni provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT pisarenkovm provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT alkhavaldehm provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT slûsarenkoaa provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte AT levčenkoev provodimostʹélektronnogogazakvantovannogoélektromagnitnympolemprifotogalʹvaničeskoméffekte
first_indexed	2023-10-18T20:28:39Z
last_indexed	2023-10-18T20:28:39Z
_version_	1796150300592046080

Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте

Репозитарії

Схожі ресурси