Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства
Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что нос...
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
Назва видання: | Журнал физики и инженерии поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116936 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Технология приготовления тонких плёнок TbSb₂ и электрофизические свойства / З.У. Джабуа // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 162-165. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Разработана технология приготовления тонких кристаллических плёнок TbSb₂ методом вакуумно-термического испарения из двух независимых источников Tb и Sb. В температурной области 100–300 K измерены температурные зависимости удельного электросопротивления, постояной Холла и термо-ЭДС. Показано, что носителями заряда являются электроны и плёнки TbSb₂ по своим электрическим свойствам являются металлами. |
---|