Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку

Методом електрохімічного осадження вирощено масиви наноструктур оксиду цинку на поверхні поруватого кремнію. Виявлено вплив температури електроліту на морфологію вирощених шарів ZnO. У роботі вивчено вольт-амперні характеристики отриманих гібридних структур, часові і спектральні залежності їх фотові...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автор: Оленич, І.Б.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Назва видання:Журнал физики и инженерии поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116940
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку / І.Б. Оленич // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 186-193. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116940
record_format dspace
spelling irk-123456789-1169402017-05-19T03:03:26Z Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку Оленич, І.Б. Методом електрохімічного осадження вирощено масиви наноструктур оксиду цинку на поверхні поруватого кремнію. Виявлено вплив температури електроліту на морфологію вирощених шарів ZnO. У роботі вивчено вольт-амперні характеристики отриманих гібридних структур, часові і спектральні залежності їх фотовідгуку в широкому діапазоні електромагнітного випромінювання. Результати досліджень проаналізовано в рамках якісної моделі, за якою різні значення ширини забороненої зони наноструктур оксиду цинку, поруватого кремнію і кремнієвої підкладки забезпечують ефективне поглинання ультрафіолетового, видимого та інфрачервоного випромінювання. Отримані результати розширюють перспективу застосування структур на основі поруватого кремнію і ZnO у фотоелектроніці. Методом электрохимического осаждения выращены массивы наноструктур оксида цинка на поверхности пористого кремния. Выявлено влияние температуры электролита на морфологию выращенных слоев ZnO. В работе изучены вольт-амперные характеристики полученных гибридных структур, временные и спектральные зависимости их фотоответа в широком диапазоне электромагнитного излучения. Результаты исследований проанализированы в рамках качественной модели, согласно с которой разные значения ширины запрещенной зоны наноструктур оксида цинка, пористого кремния и кремниевой подложки обеспечивают эффективное поглощение ультрафиолетового, видимого и инфракрасного излучения. Полученные результаты расширяют перспективу применения структур на основе пористого кремния и ZnO в фотоэлектронике. Zinc oxide nanostructured arrays were grown on porous silicon surface by electrochemical deposition method. The influence of temperature on the morphology of the grown ZnO layers is confirmed. Voltage-current curves of obtained hybrid structures are investigated. Time and spectral dependencies of the photoresponse of these structures are studied for a wide range of electromagnetic radiation. The results are interpreted in the frame of the qualitative model, which suggests that different band gap value for zinc oxide, porous silicon and silicon substrate ensure efficient UV, visible and IR absorption. Obtained data widen the perspective of using porous silicon based structures and ZnO in photoelectronics. 2016 Article Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку / І.Б. Оленич // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 186-193. — Бібліогр.: 25 назв. — укр. 2519-2485 PACS 73.50.Pz, 73.63.-b http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116940 537.312, 535.215 uk Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
description Методом електрохімічного осадження вирощено масиви наноструктур оксиду цинку на поверхні поруватого кремнію. Виявлено вплив температури електроліту на морфологію вирощених шарів ZnO. У роботі вивчено вольт-амперні характеристики отриманих гібридних структур, часові і спектральні залежності їх фотовідгуку в широкому діапазоні електромагнітного випромінювання. Результати досліджень проаналізовано в рамках якісної моделі, за якою різні значення ширини забороненої зони наноструктур оксиду цинку, поруватого кремнію і кремнієвої підкладки забезпечують ефективне поглинання ультрафіолетового, видимого та інфрачервоного випромінювання. Отримані результати розширюють перспективу застосування структур на основі поруватого кремнію і ZnO у фотоелектроніці.
format Article
author Оленич, І.Б.
spellingShingle Оленич, І.Б.
Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
Журнал физики и инженерии поверхности
author_facet Оленич, І.Б.
author_sort Оленич, І.Б.
title Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
title_short Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
title_full Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
title_fullStr Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
title_full_unstemmed Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
title_sort електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2016
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116940
citation_txt Електричні та фотоелектричні властивості гібридних структур на основі поруватого кремнію і оксиду цинку / І.Б. Оленич // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 186-193. — Бібліогр.: 25 назв. — укр.
series Журнал физики и инженерии поверхности
work_keys_str_mv AT oleničíb električnítafotoelektričnívlastivostígíbridnihstrukturnaosnovíporuvatogokremníûíoksiducinku
first_indexed 2023-10-18T20:28:40Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:40Z
_version_ 1796150301555687424