Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характе...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116980 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116980 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1169802017-05-19T03:02:47Z Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ Милославский, В.К. Юнакова, О.Н. Коваленко, Е.Н. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур 90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные предшественниками низкотемпературных фаз. Досліджено спектр поглинання тонких плівок Rb₂ZnI₄ в області спектра 3–6 еВ і температур 90–290 К. Установлено, що сполучення відноситься до прямозонних діелектриків, низькочастотні екситонн і збудження локалізовані в ZnI²⁻₄ структурних шарах кристалічних грат і носять квазідвовим ірний характер. При T < 200 К у температурному ході спектрального положення і напівширини довгохвильової екситонної смуги виявляються ефекти термічної пам'яті, які обумовлені попередниками низькотемпературних фаз. The absorption spectrum of Rb₂ZnI₄ thin films is investigated in a spectral interval 3–6 eV at temperatures 90–290 K. It is established, that the compound qualifies as a directband dielectric, the lowfrequency exciton excitations are located in the ZnI²⁻₄ structural layers of the crystal lattice and are quasi-two-dimensional in nature. At T < 200 K the temperature behavior of spectral position and halfwidth of the low frequency exciton band shows the effects of thermal memory caused by the predecessors of low-temperature phases 2008 Article Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 77.80.–e;77.80.Bh;78.40.–q http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116980 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| spellingShingle |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Милославский, В.К. Юнакова, О.Н. Коваленко, Е.Н. Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ Физика низких температур |
| description |
Исследован спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ в области спектра 3–6 эВ и температур
90–290 К. Установлено, что соединение относится к прямозонным диэлектрикам, низкочастотные экситонные
возбуждения локализованы в ZnI²⁻₄ структурных слоях кристаллической решетки и носят
квазидвумерный характер. При T < 200 К в температурном ходе спектрального положения и полуширины
длинноволновой экситонной полосы проявляются эффекты термической памяти, обусловленные
предшественниками низкотемпературных фаз. |
| format |
Article |
| author |
Милославский, В.К. Юнакова, О.Н. Коваленко, Е.Н. |
| author_facet |
Милославский, В.К. Юнакова, О.Н. Коваленко, Е.Н. |
| author_sort |
Милославский, В.К. |
| title |
Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_short |
Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_full |
Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_fullStr |
Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_full_unstemmed |
Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄ |
| title_sort |
экситонный спектр поглощения тонких пленок rb₂zni₄ |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2008 |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116980 |
| citation_txt |
Экситонный спектр поглощения тонких пленок
Rb₂ZnI₄ / В.К. Милославский, О.Н. Юнакова, Е.Н. Коваленко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 6. — С. 599–604. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT miloslavskijvk éksitonnyjspektrpogloŝeniâtonkihplenokrb2zni4 AT ûnakovaon éksitonnyjspektrpogloŝeniâtonkihplenokrb2zni4 AT kovalenkoen éksitonnyjspektrpogloŝeniâtonkihplenokrb2zni4 |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:46Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:46Z |
| _version_ |
1796150307316563968 |