Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3...
Збережено в:
| Дата: | 2016 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
| Назва видання: | Журнал физики и инженерии поверхности |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116999 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116999 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1169992017-05-19T03:03:42Z Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si Юсупов, А. Адамбаев, К. Тураев, З.З. Алиев, С.Р. Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3kT/e < V < 0,7 эВ) преобладают туннельно-рекомбинационные процессы с участием дефектных состояний на границе раздела гетероперехода, при увеличении напряжения (V > 0,8 В) доминирует туннельный механизм Ньюмена. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса. Вивчено електричні властивості анізотипних гетеропереходів р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, отриманих сульфіризацією базових металевих шарів, попередньо нанесених на кремнієву підкладинку. Обговорюються вольт-амперні характеристики і встановлено домінуючі механізми струмоперенесення: при прямих напругах (3kT/e < V < 0,7 еВ) переважають тунельно-рекомбінаційні процеси за участю дефектних станів на межі поділу гетеропереходу, при збільшенні напруги (V > 0,8 В) домінує тунельний механізм Ньюмена. Зворотні струми через досліджені гетеропереходи аналізувалися в рамках тунельного механізму струмоперенесення. Studied the electrical properties of heterojunctions anizo-type p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, received sulfurization base metal layers previously deposited on a silicon substrate. We discuss the current-voltage characteristics and established the dominant mechanism of current-voltage direct at (3kT/e < V < 0.7 eV) dominated tunnel-recombination processes involving defective conditions at the interface of heterojunction, increasing the voltage (V > 0.8 V). Newman dominated tunneling mechanism. Reverse current through the studied heterojunctions analyzed in the framework of current-tunneling mechanism. 2016 Article Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116999 621.315.592 ru Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3kT/e < V < 0,7 эВ) преобладают туннельно-рекомбинационные процессы с участием дефектных состояний на границе раздела гетероперехода, при увеличении напряжения (V > 0,8 В) доминирует туннельный механизм Ньюмена. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса. |
| format |
Article |
| author |
Юсупов, А. Адамбаев, К. Тураев, З.З. Алиев, С.Р. |
| spellingShingle |
Юсупов, А. Адамбаев, К. Тураев, З.З. Алиев, С.Р. Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si Журнал физики и инженерии поверхности |
| author_facet |
Юсупов, А. Адамбаев, К. Тураев, З.З. Алиев, С.Р. |
| author_sort |
Юсупов, А. |
| title |
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_short |
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_full |
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_fullStr |
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_full_unstemmed |
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si |
| title_sort |
механизм токопереноса в гетеропереходах p-cu₂znsns₄/n-si |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| publishDate |
2016 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116999 |
| citation_txt |
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Журнал физики и инженерии поверхности |
| work_keys_str_mv |
AT ûsupova mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT adambaevk mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT turaevzz mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi AT alievsr mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi |
| first_indexed |
2023-10-18T20:28:47Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:28:47Z |
| _version_ |
1796150307849240576 |