Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si

Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si

Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Дата:2016
Автори: Юсупов, А., Адамбаев, К., Тураев, З.З., Алиев, С.Р.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2016
Назва видання:Журнал физики и инженерии поверхности
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116999
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-116999
record_format dspace
spelling irk-123456789-1169992017-05-19T03:03:42Z Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si Юсупов, А. Адамбаев, К. Тураев, З.З. Алиев, С.Р. Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3kT/e < V < 0,7 эВ) преобладают туннельно-рекомбинационные процессы с участием дефектных состояний на границе раздела гетероперехода, при увеличении напряжения (V > 0,8 В) доминирует туннельный механизм Ньюмена. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса. Вивчено електричні властивості анізотипних гетеропереходів р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, отриманих сульфіризацією базових металевих шарів, попередньо нанесених на кремнієву підкладинку. Обговорюються вольт-амперні характеристики і встановлено домінуючі механізми струмоперенесення: при прямих напругах (3kT/e < V < 0,7 еВ) переважають тунельно-рекомбінаційні процеси за участю дефектних станів на межі поділу гетеропереходу, при збільшенні напруги (V > 0,8 В) домінує тунельний механізм Ньюмена. Зворотні струми через досліджені гетеропереходи аналізувалися в рамках тунельного механізму струмоперенесення. Studied the electrical properties of heterojunctions anizo-type p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, received sulfurization base metal layers previously deposited on a silicon substrate. We discuss the current-voltage characteristics and established the dominant mechanism of current-voltage direct at (3kT/e < V < 0.7 eV) dominated tunnel-recombination processes involving defective conditions at the interface of heterojunction, increasing the voltage (V > 0.8 V). Newman dominated tunneling mechanism. Reverse current through the studied heterojunctions analyzed in the framework of current-tunneling mechanism. 2016 Article Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116999 621.315.592 ru Журнал физики и инженерии поверхности Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
description Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3kT/e < V < 0,7 эВ) преобладают туннельно-рекомбинационные процессы с участием дефектных состояний на границе раздела гетероперехода, при увеличении напряжения (V > 0,8 В) доминирует туннельный механизм Ньюмена. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса.
format Article
author Юсупов, А.
Адамбаев, К.
Тураев, З.З.
Алиев, С.Р.
spellingShingle Юсупов, А.
Адамбаев, К.
Тураев, З.З.
Алиев, С.Р.
Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
Журнал физики и инженерии поверхности
author_facet Юсупов, А.
Адамбаев, К.
Тураев, З.З.
Алиев, С.Р.
author_sort Юсупов, А.
title Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
title_short Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
title_full Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
title_fullStr Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
title_full_unstemmed Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
title_sort механизм токопереноса в гетеропереходах p-cu₂znsns₄/n-si
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
publishDate 2016
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116999
citation_txt Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
series Журнал физики и инженерии поверхности
work_keys_str_mv AT ûsupova mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi
AT adambaevk mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi
AT turaevzz mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi
AT alievsr mehanizmtokoperenosavgeteroperehodahpcu2znsns4nsi
first_indexed 2023-10-18T20:28:47Z
last_indexed 2023-10-18T20:28:47Z
_version_ 1796150307849240576

Схожі ресурси