Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3...
Збережено в:
Дата: | 2016 |
---|---|
Автори: | Юсупов, А., Адамбаев, К., Тураев, З.З., Алиев, С.Р. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
Назва видання: | Журнал физики и инженерии поверхности |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116999 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Thin films of Cu₂ZnSnS₄ for solar cells: optical and structural properties
за авторством: Babichuk, I.S., та інші
Опубліковано: (2013) -
Optical and morphological properties of tetragonal Cu₂ZnSnS₄ thin films grown from sulphide precursors at lower temperatures
за авторством: Babichuk, I.S., та інші
Опубліковано: (2014) -
The effect of low-temperature annealing on structure and chemical composition of Cu2ZnSnS4 films deposited on flexible polyimide substrates
за авторством: S. I. Kakherskyi, та інші
Опубліковано: (2021) -
Optical and morphological properties of tetragonal Cu2ZnSnS4 thin films grown from sulphide precursors at lower temperatures
за авторством: I. S. Babichuk, та інші
Опубліковано: (2014) -
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)