Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем

Экспериментально показано, что при мощности внешнего микроволнового облучения больше некоторой критической Рс, по аналогии с узким каналом и высокочастотными центрами проскальзывания фазы (ас ЦПФ), в широкой сверхпроводящей пленке возникают высокочастотные линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ). При пр...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2009
Автори:	Дмитриев, В.М., Золочевский, И.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117137
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 475-478 . — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-117137
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1171372017-05-21T03:02:34Z Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем Дмитриев, В.М. Золочевский, И.В. Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Экспериментально показано, что при мощности внешнего микроволнового облучения больше некоторой критической Рс, по аналогии с узким каналом и высокочастотными центрами проскальзывания фазы (ас ЦПФ), в широкой сверхпроводящей пленке возникают высокочастотные линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ). При пропускании пробного постоянного тока намного меньше критического такое состояние пленки оказывается резистивным, что проявляется в виде линейных начальных участков вольт-амперных характаристик (ВАХ), отражающих падение напряжения на ас ЛПФ. Показано, что при монотонном изменении мощности электромагнитного облучения наклон линейных участков ВАХ изменяется дискретно и кратно сопротивлению одной ас ЛПФ, возникающей при мощности равной Pc. Експериментально показано, що при потужності зовнішнього мікрохвильового опромінення більшій деякої критичної Рс, за аналогією з вузьким каналом і високочастотними центрами проковзування фази (ас ЦПФ), у широкій надпровідній плівці виникають високочастотні лінії проковзування фази (ас ЛПФ). При пропущенні пробного постійного струму набагато меншого за критичний виявляється, що такий стан плівки є резистивним. Це проявляється у вигляді лінійних початкових ділянок вольтамперних характаристик (ВАХ), що відображають падіння напруги на ас ЛПФ. Показано, що при монотонному змінюванні потужності електромагнітного опромінення нахил лінійних ділянок ВАХ змінюється дискретно й кратно опору одної ас ЛПФ, що виникає при потужності рівній Pc. It is shown experimentally that for an external microwave irradiation power higher than some critical Pc a wide superconducting film exhibits high-frequency phase-slip lines (ac PSL) by analogy with a narrow channel and ac PSC. On passing a probe direct current lower than the critical one, the film state appears to be resistive, showing itself as linear initial portions in the I-V curves that present voltage drop across ac PSL. It is found that as the electromagnetic irradiation power is changed monotonously, the IVC linear portion slopes display variations that are discrete and multiple to the resistance of a single ac PSL appearing at P = Pc. 2009 Article Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 475-478 . — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.25.Fy, 74.25.Nf, 74.40+k http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117137 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
spellingShingle	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная Дмитриев, В.М. Золочевский, И.В. Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем Физика низких температур
description	Экспериментально показано, что при мощности внешнего микроволнового облучения больше некоторой критической Рс, по аналогии с узким каналом и высокочастотными центрами проскальзывания фазы (ас ЦПФ), в широкой сверхпроводящей пленке возникают высокочастотные линии проскальзывания фазы (ас ЛПФ). При пропускании пробного постоянного тока намного меньше критического такое состояние пленки оказывается резистивным, что проявляется в виде линейных начальных участков вольт-амперных характаристик (ВАХ), отражающих падение напряжения на ас ЛПФ. Показано, что при монотонном изменении мощности электромагнитного облучения наклон линейных участков ВАХ изменяется дискретно и кратно сопротивлению одной ас ЛПФ, возникающей при мощности равной Pc.
format	Article
author	Дмитриев, В.М. Золочевский, И.В.
author_facet	Дмитриев, В.М. Золочевский, И.В.
author_sort	Дмитриев, В.М.
title	Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем
title_short	Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем
title_full	Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем
title_fullStr	Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем
title_full_unstemmed	Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем
title_sort	резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2009
topic_facet	Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117137
citation_txt	Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем / В.М. Дмитриев, И.В. Золочевский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 475-478 . — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT dmitrievvm rezistivnoesostoânieširokojsverhprovodâŝejplenkiobuslovlennoeperemennymélektromagnitnympolem AT zoločevskijiv rezistivnoesostoânieširokojsverhprovodâŝejplenkiobuslovlennoeperemennymélektromagnitnympolem
first_indexed	2023-10-18T20:29:06Z
last_indexed	2023-10-18T20:29:06Z
_version_	1796150322080514048

Резистивное состояние широкой сверхпроводящей пленки, обусловленное переменным электромагнитным полем

Репозитарії

Схожі ресурси