Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
The excitation-dependent photoluminescence (PL) of ZnSe nanocrystals (NC) grown on GaAs (100) substrate was studied. The PL spectra observed corroborate previous observations of a bimodal size distribution of NC grown, and, in addition, evidence the existence of spectral diffusion with extend depend...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | Tishchenko, V.V., Kovalenko, A.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117168 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level / V.V. Tishchenko, A.V. Kovalenko // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 524-527. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Образование кластеров и перколяционного порога в двухфазной системе со случайным распределением квантовых точек ZnSe
за авторством: Бондарь, Н.В.
Опубліковано: (2009) -
Экситоны в слоистых диэлектриках ZnI₂ и CdI₂:Zn
за авторством: Юнакова, О.Н., та інші
Опубліковано: (2002) -
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010) -
Экситонный спектр поглощения тонких пленок Rb₂ZnI₄
за авторством: Милославский, В.К., та інші
Опубліковано: (2008) -
Квантовая биэкситонная жидкость в кристаллах моноклинного ZnP₂
за авторством: Горбань, И.С., та інші
Опубліковано: (2001)