Электронное допирование NbSe₂

• Дата: 2009
• Автори: Еременко, В.В., Ибулаев, В.В., Сиренко, В.А., Шведун, М.Ю., Куликов, Л.М., Петрусенко, Ю.Т., Борисенко, В.М., Астахов, А.Н., Баранков, Д.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Кpаткие сообщения
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117172
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости.