Электронное допирование NbSe₂

Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Еременко, В.В., Ибулаев, В.В., Сиренко, В.А., Шведун, М.Ю., Куликов, Л.М., Петрусенко, Ю.Т., Борисенко, В.М., Астахов, А.Н., Баранков, Д.Ю.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117172
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-117172
record_format dspace
spelling irk-123456789-1171722017-05-21T03:02:40Z Электронное допирование NbSe₂ Еременко, В.В. Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. Кpаткие сообщения Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости. Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110}, {210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини. The influence of fast electrons irradiation on hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied by the methods of x-ray and electron diffraction. Detected changes on diffraction patterns are attributed to redistribution of electron density under irradiation, notably it increases in the planes with close packing — basal and prismatic — {110} and {210}. The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering under high radiation doses is associated with increasing of the electronic Fermi-liquid density. 2009 Article Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.10.-d, 74.25.Jb. http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117172 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Кpаткие сообщения
Кpаткие сообщения
spellingShingle Кpаткие сообщения
Кpаткие сообщения
Еременко, В.В.
Ибулаев, В.В.
Сиренко, В.А.
Шведун, М.Ю.
Куликов, Л.М.
Петрусенко, Ю.Т.
Борисенко, В.М.
Астахов, А.Н.
Баранков, Д.Ю.
Электронное допирование NbSe₂
Физика низких температур
description Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости.
format Article
author Еременко, В.В.
Ибулаев, В.В.
Сиренко, В.А.
Шведун, М.Ю.
Куликов, Л.М.
Петрусенко, Ю.Т.
Борисенко, В.М.
Астахов, А.Н.
Баранков, Д.Ю.
author_facet Еременко, В.В.
Ибулаев, В.В.
Сиренко, В.А.
Шведун, М.Ю.
Куликов, Л.М.
Петрусенко, Ю.Т.
Борисенко, В.М.
Астахов, А.Н.
Баранков, Д.Ю.
author_sort Еременко, В.В.
title Электронное допирование NbSe₂
title_short Электронное допирование NbSe₂
title_full Электронное допирование NbSe₂
title_fullStr Электронное допирование NbSe₂
title_full_unstemmed Электронное допирование NbSe₂
title_sort электронное допирование nbse₂
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2009
topic_facet Кpаткие сообщения
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117172
citation_txt Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT eremenkovv élektronnoedopirovanienbse2
AT ibulaevvv élektronnoedopirovanienbse2
AT sirenkova élektronnoedopirovanienbse2
AT švedunmû élektronnoedopirovanienbse2
AT kulikovlm élektronnoedopirovanienbse2
AT petrusenkoût élektronnoedopirovanienbse2
AT borisenkovm élektronnoedopirovanienbse2
AT astahovan élektronnoedopirovanienbse2
AT barankovdû élektronnoedopirovanienbse2
first_indexed 2023-10-18T20:29:11Z
last_indexed 2023-10-18T20:29:11Z
_version_ 1796150325797715968