Электронное допирование NbSe₂
Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | , , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117172 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-117172 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1171722017-05-21T03:02:40Z Электронное допирование NbSe₂ Еременко, В.В. Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. Кpаткие сообщения Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости. Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110}, {210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини. The influence of fast electrons irradiation on hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied by the methods of x-ray and electron diffraction. Detected changes on diffraction patterns are attributed to redistribution of electron density under irradiation, notably it increases in the planes with close packing — basal and prismatic — {110} and {210}. The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering under high radiation doses is associated with increasing of the electronic Fermi-liquid density. 2009 Article Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.10.-d, 74.25.Jb. http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117172 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Кpаткие сообщения Кpаткие сообщения |
spellingShingle |
Кpаткие сообщения Кpаткие сообщения Еременко, В.В. Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. Электронное допирование NbSe₂ Физика низких температур |
description |
Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости. |
format |
Article |
author |
Еременко, В.В. Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. |
author_facet |
Еременко, В.В. Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. |
author_sort |
Еременко, В.В. |
title |
Электронное допирование NbSe₂ |
title_short |
Электронное допирование NbSe₂ |
title_full |
Электронное допирование NbSe₂ |
title_fullStr |
Электронное допирование NbSe₂ |
title_full_unstemmed |
Электронное допирование NbSe₂ |
title_sort |
электронное допирование nbse₂ |
publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
publishDate |
2009 |
topic_facet |
Кpаткие сообщения |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117172 |
citation_txt |
Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
series |
Физика низких температур |
work_keys_str_mv |
AT eremenkovv élektronnoedopirovanienbse2 AT ibulaevvv élektronnoedopirovanienbse2 AT sirenkova élektronnoedopirovanienbse2 AT švedunmû élektronnoedopirovanienbse2 AT kulikovlm élektronnoedopirovanienbse2 AT petrusenkoût élektronnoedopirovanienbse2 AT borisenkovm élektronnoedopirovanienbse2 AT astahovan élektronnoedopirovanienbse2 AT barankovdû élektronnoedopirovanienbse2 |
first_indexed |
2023-10-18T20:29:11Z |
last_indexed |
2023-10-18T20:29:11Z |
_version_ |
1796150325797715968 |