Кинетика формирования тока в молекулярном диоде

Используя кинетическую теорию электронного транспорта в низкоразмерных молекулярных системах, проведено исследование процесса формирования переходных и стационарных токов в системе «электрод 1–молекула–электрод 2» (молекулярный диод) для различных режимов зарядовой трансмиссии. В рамках HUMO–LUMO м...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Петров, Э.Г., Леонов, В.А., Шевченко, Е.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2012
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117190
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Кинетика формирования тока в молекулярном диоде / Э.Г. Петров, В.А. Леонов, Е.В. Шевченко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 5. — С. 549-559. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-117190
record_format dspace
spelling irk-123456789-1171902017-05-21T03:02:48Z Кинетика формирования тока в молекулярном диоде Петров, Э.Г. Леонов, В.А. Шевченко, Е.В. Электронные свойства проводящих систем Используя кинетическую теорию электронного транспорта в низкоразмерных молекулярных системах, проведено исследование процесса формирования переходных и стационарных токов в системе «электрод 1–молекула–электрод 2» (молекулярный диод) для различных режимов зарядовой трансмиссии. В рамках HUMO–LUMO модели молекулы рассмотрена ситуация, когда образование токов вызвано фотовозбуждением молекулы либо изменением разности потенциалов на электродах. Выяснена определяющая роль неупругого дистанционного (туннельного) переноса электронов в изменении электронного состояния молекулы и, как следствие, в формировании трансмиссионных каналов для прыжковых (последовательных) и туннельных (дистанционных) компонент тока. Эффект неупругого туннелирования особенно заметен в условиях резонансной трансмиссии электронов. Використовуючи кінетичну теорію електронного транспорту в низькорозмірних молекулярних системах, проведено дослідження процесу формування перехідних і стаціонарних струмів у системі «електрод 1–молекула–електрод 2» (молекулярний діод) для різних режимів зарядової трансмісії. У рамках HUMO–LUMO моделі молекули розглянуто ситуацію, коли утворення струмів викликано фотозбудженням молекули або зміною різниці потенціалів на електродах. З'ясовано визначальну роль непружного дистанційного (тунельного) перенесення електронів у зміні електронного стану молекули і, як наслідок, у формуванні трансмісійних каналів для стрибкових (послідовних) і тунельних (дистанційних) компонент струму. Ефект непружного тунелювання особливо помітний в умовах резонансної трансмісії електронів. Based on the kinetic theory of election transfer in low-dimensional molecular systems, the formation of transient and stationary currents in a system “electrode l–molecule–electrode 2” (molecular diode) is studied for different regimes of charge transmission. In the framework of the HOMO–LUMO molecular model, a situation is considered where the current formation is initiated either by molecule photoexcitation or by change of interelectrode voltage bias. It is found that the distant (tunnel) inelastic electron transfer plays a crucial role in changing molecular electronic states and, as a result, in generating transmission channels for hopping (sequential) and distant (direct) current components. The effect of inelastic tunneling is especially pronounced in the condition of resonant electron transmission. 2012 Article Кинетика формирования тока в молекулярном диоде / Э.Г. Петров, В.А. Леонов, Е.В. Шевченко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 5. — С. 549-559. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 05.60.Gg, 73.63.Nm, 85.65.+h http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117190 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронные свойства проводящих систем
Электронные свойства проводящих систем
spellingShingle Электронные свойства проводящих систем
Электронные свойства проводящих систем
Петров, Э.Г.
Леонов, В.А.
Шевченко, Е.В.
Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
Физика низких температур
description Используя кинетическую теорию электронного транспорта в низкоразмерных молекулярных системах, проведено исследование процесса формирования переходных и стационарных токов в системе «электрод 1–молекула–электрод 2» (молекулярный диод) для различных режимов зарядовой трансмиссии. В рамках HUMO–LUMO модели молекулы рассмотрена ситуация, когда образование токов вызвано фотовозбуждением молекулы либо изменением разности потенциалов на электродах. Выяснена определяющая роль неупругого дистанционного (туннельного) переноса электронов в изменении электронного состояния молекулы и, как следствие, в формировании трансмиссионных каналов для прыжковых (последовательных) и туннельных (дистанционных) компонент тока. Эффект неупругого туннелирования особенно заметен в условиях резонансной трансмиссии электронов.
format Article
author Петров, Э.Г.
Леонов, В.А.
Шевченко, Е.В.
author_facet Петров, Э.Г.
Леонов, В.А.
Шевченко, Е.В.
author_sort Петров, Э.Г.
title Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_short Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_full Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_fullStr Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_full_unstemmed Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
title_sort кинетика формирования тока в молекулярном диоде
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2012
topic_facet Электронные свойства проводящих систем
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117190
citation_txt Кинетика формирования тока в молекулярном диоде / Э.Г. Петров, В.А. Леонов, Е.В. Шевченко // Физика низких температур. — 2012. — Т. 38, № 5. — С. 549-559. — Бібліогр.: 22 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT petrovég kinetikaformirovaniâtokavmolekulârnomdiode
AT leonovva kinetikaformirovaniâtokavmolekulârnomdiode
AT ševčenkoev kinetikaformirovaniâtokavmolekulârnomdiode
first_indexed 2023-10-18T20:29:14Z
last_indexed 2023-10-18T20:29:14Z
_version_ 1796150327719755776