2025-02-24T11:15:25-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-117197%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T11:15:25-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-117197%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-24T11:15:25-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-24T11:15:25-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Симметрия и магнитоэлектрические взаимодействия в BaMnF₄

Симметрия и магнитоэлектрические взаимодействия в BaMnF₄

На основе симметрийного анализа теоретически исследованы магнитная анизотропия и магнитоэлектрические взаимодействия в сегнетоэлектричеcком антиферромагнетике BaMnF₄. Показано, что симметрия допускает существование в этом материале неоднородного магнитоэлектрического взаимодействия (флексомагнитоэле...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Звездин, А.К., Пятаков, А.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2010
Series:Физика низких температур
Subjects:
Магнитоэлектрические эффекты в сегнетомагнетиках
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117197
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:На основе симметрийного анализа теоретически исследованы магнитная анизотропия и магнитоэлектрические взаимодействия в сегнетоэлектричеcком антиферромагнетике BaMnF₄. Показано, что симметрия допускает существование в этом материале неоднородного магнитоэлектрического взаимодействия (флексомагнитоэлектрического типа) со специфической зависимостью от величины и ориентации внешнего магнитного поля. Это взаимодействие с ростом поля может обеспечить фазовый переход в магнитную несоразмерную фазу с характерным скачком электрической поляризации. Рассмотрены линейный и квадратичный магнитоэлектрические эффекты и вопрос о релятивистском скосе подрешеток, обусловленном магнитоэлектрическим взаимодействием. Предлагаемый подход является естественным обобщением метода построения инвариантов из магнитных мод кристалла на случай фазовых переходов с удвоением элементарной ячейки кристалла и может быть применен для симметрийного анализа других сегнетомагнитных соединений.

Similar Items