Функция электрон-фононного взаимодействия в слоистом дихалькогениде 2Ha-TaSe₂

• Дата: 2009
• Автори: Камарчук, Г.В., Хоткевич, А.В., Савицкий, А.В., Molinie, P., Leblanc, A., Faulques, E.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Электронные свойства проводящих систем
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117261
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Функция электрон-фононного взаимодействия в слоистом дихалькогениде 2Ha-TaSe₂ / Г.В. Камарчук, А.В. Хоткевич, А.В. Савицкий, P. Molinie, A. Leblanc, E. Faulques // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 7. — С. 687-693. — Бібліогр.: 42 назв. — рос.

С помощью метода микроконтактной спектроскопии экспериментально исследован спектр электрон- фононного взаимодействия в слоистом квазидвумерном дихалькогениде 2Ha-TaSe₂. Измерения выполнены на гетероконтактах 2Ha-TaSe₂/Cu. Зарегистрированы микроконтактные спектры, отражающие эффекты электрон-фононного взаимодействия в спектральном режиме протекания тока и делокализации электронных состояний в области точечных контактов при малых импульсных длинах свободного пробега электронов. Впервые определена функция электрон-фононного взаимодействия в данном соединении. Хорошая воспроизводимость результатов подтверждена расчетами важных интегральных параметров электрон-фононной системы исследованного вещества.