Сверхпроводимость электрон-дырочных пар в двухслойной графеновой системе в квантующем магнитном поле

• Дата: 2009
• Автори: Филь, Д.В., Кравченко, Л.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Электронные свойства проводящих систем
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117349
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Сверхпроводимость электрон-дырочных пар в двухслойной графеновой системе в квантующем магнитном поле / Д.В. Филь, Л.Ю. Кравченко // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 8-9. — С. 904-918. — Бібліогр.: 45 назв. — рос.

Изучено состояние со спонтанной межслоевой фазовой когерентностью в двухслойной квантовой холловской системе на основе графена. Данное состояние можно рассматривать как газ сверхтекучих электрон-дырочных пар с компонентами пары, принадлежащими разным слоям. Сверхтекучий поток таких пар эквивалентен двум электрическим сверхтокам в слоях. Показано, что в графеновой системе состояние с межслоевой фазовой когерентностью возникает, если создан определенный разбаланс факторов заполнения уровней Ландау в соседних слоях. Найдены температура перехода в сверхтекучее состояние, максимальное расстояние между слоями, при котором возможна фазовая когерентность, а также критические значения сверхтока. Обсуждаются преимущества использования графеновых систем вместо GaAs гетероструктур для реализации двухслоевой электрон-дырочной сверхпроводимости.