Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
Установлено, что γ-облучение монокристаллов р-InSe и n-InSe<Sn> (0,2 и 0,4 мол.% Sn) дозой Dγ = 100 крад приводит к существенному изменению параметров локализованных в запрещенной зоне состояний: к увеличению плотности локализованных вблизи уровня Ферми состояний и их энергетическому уплотнени...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117371 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 7. — С. 805–808. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-117371 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1173712017-05-23T03:03:24Z Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Установлено, что γ-облучение монокристаллов р-InSe и n-InSe<Sn> (0,2 и 0,4 мол.% Sn) дозой Dγ = 100 крад приводит к существенному изменению параметров локализованных в запрещенной зоне состояний: к увеличению плотности локализованных вблизи уровня Ферми состояний и их энергетическому уплотнению, уменьшению среднего расстояния прыжков и увеличению концентрации глубоких ловушек, ответственных за прыжковую проводимость. Определены значения концентрации радиационных дефектов в монокристаллах р-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) и n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³). Встановлено, що γ-опромінення монокристалів р-InSe та n-InSe<Sn> (0,2 та 0,4 мол.% Sn) дозою Dγ = 100 крад приводить до істотної зміни параметрів локалізованих у забороненій зоні станів: до збільшення щільності локалізованих поблизу рівня Фермі станів і їх енергетичного ущільнення, зменшення середньої відстані стрибків і збільшення концентрації глибоких уловлювачів, які відповідальні за стрибкову провідність. Визначено значення концентрації радіаційних дефектів у монокристалах р-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) та n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³). It is revealed that the γ-irradiation Dγ = 100 krad of p-InSe and n-InSe<Sn> (0.2 and 0.4 mol.% Sn) single crystals leads to significant changes of localized states parameters. After the γ-irradiation the density of states near the Fermi level is increased, but their energy spread and the average jump distance are decreased. The concentrations of radiation-induced defects are estimated for p-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) and n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³) single crystals. 2010 Article Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 7. — С. 805–808. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Nr, 72.20.Ee, 72.20.Fr, 72.20.Ht http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117371 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| spellingShingle |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> Физика низких температур |
| description |
Установлено, что γ-облучение монокристаллов р-InSe и n-InSe<Sn> (0,2 и 0,4 мол.% Sn) дозой Dγ = 100 крад приводит к существенному изменению параметров локализованных в запрещенной зоне состояний: к увеличению плотности локализованных вблизи уровня Ферми состояний и их энергетическому уплотнению, уменьшению среднего расстояния прыжков и увеличению концентрации глубоких ловушек, ответственных за прыжковую проводимость. Определены значения концентрации радиационных дефектов в монокристаллах р-InSe (5,18·10¹⁷ см⁻³) и n-InSe<Sn> (2,48·10¹⁷– 2,71·10¹⁸ cм⁻³). |
| format |
Article |
| author |
Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. |
| author_facet |
Мустафаева, С.Н. Асадов, М.М. Исмайлов, А.А. |
| author_sort |
Мустафаева, С.Н. |
| title |
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> |
| title_short |
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> |
| title_full |
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> |
| title_fullStr |
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> |
| title_full_unstemmed |
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> |
| title_sort |
влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-inse и n-inse<sn> |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117371 |
| citation_txt |
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn> / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 7. — С. 805–808. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT mustafaevasn vliâniegoblučeniânaparametrylokalizovannyhsostoânijvmonokristallahpinseininsesn AT asadovmm vliâniegoblučeniânaparametrylokalizovannyhsostoânijvmonokristallahpinseininsesn AT ismajlovaa vliâniegoblučeniânaparametrylokalizovannyhsostoânijvmonokristallahpinseininsesn |
| first_indexed |
2023-10-18T20:29:39Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:29:39Z |
| _version_ |
1796150346348756992 |