Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов
Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм, зависящей от вида и фазового состоя...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2008
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117390 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов / В.М. Кузьменко // Физика низких температур. — 2008. — Т. 34, № 8. — С. 781–789. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследовано влияние аморфного Sb-покрытия на удельное сопротивление аморфных и кристаллических
пленок V, Yb и Bi. Для обоих фазовых состояний V и Bi значения уменьшаются, для Yb — увеличиваются. Влияние покрытия на ограничивается его толщиной d⁰cov=10–60 нм,
зависящей от вида и фазового состояния базисного металла. Увеличение толщины покрытия до dcov>d⁰cov не приводит
к дальнейшему изменению ρ. Наблюдаемые изменения приписываются перемещению части
электронов из аморфной сурьмы в Bi и V, а из аморфных и кристаллических пленок Yb — в аморфную
сурьму с образованием контактной разности потенциалов между слоями металла и полупроводника.
При этом происходит изменение плотности состояний электронов проводимости металла, ответственное
за изменение ρ. |
|---|