О возможной поверхностной природе электрической активности в He II

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 2009
• Автор: Гутлянский, Е.Д.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2009
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117404
• Цитувати: О возможной поверхностной природе электрической активности в He II / Е.Д. Гутлянский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 10. — С. 956-961. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Предложена простая феноменологическая модель, позволяющая качественно объяснить генерацию электрических полей в He II вторым звуком и колебаниями стенки конденсатора. Модель основана на предположении о существовании на смачиваемых гелием поверхностях связанного состояния атомов He c образованием дипольного момента (дипольного слоя). Кроме того, предполагается, что при переходе гелия в объеме в сверхтекучее состояние изменяется характер смачивания, и это изменение есть переход второго рода, связанный с началом дополнительной конденсации атомов из объема в дипольный слой и переходом его в сверхтекучее состояние. Для описания этого перехода используется теория Ландау с параметром порядка ψ=√n̅s̅ exp iφ. Из теории следует, что величина отношения колебания разности потенциалов к разности температур на обкладках конденсатора, генерируемых волной второго звука, от температуры не зависит. А разность потенциалов, генерируемая колебаниями стенки торсионного генератора, пропорциональна квадрату ее скорости.