Особенности транспорта квазиодномерных поверхностных электронов в плотном газообразном гелии
Приведены результаты экспериментального исследования подвижности поверхностных электронов в жидком гелии, локализованных в квазиодномерных проводящих каналах над профилированной подложкой. Подвижность электронов измерялась в области температур, соответствующей рассеянию частиц на атомах гелия в паро...
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2009
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117407 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Особенности транспорта квазиодномерных поверхностных электронов в плотном газообразном гелии / А.В. Смородин, В.А. Николаенко, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 10. — С. 978-982. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Приведены результаты экспериментального исследования подвижности поверхностных электронов в жидком гелии, локализованных в квазиодномерных проводящих каналах над профилированной подложкой. Подвижность электронов измерялась в области температур, соответствующей рассеянию частиц на атомах гелия в паровой фазе. Показано, что при повышении температуры монотонное уменьшение подвижности, пропорциональное изменению концентрации гелиевого пара, сменяется резким падением, которое авторы связывают с возможным образованием поверхностного аниона - поляронного электронного образования в плотном гелиевом паре. Полученные результаты сопоставлены с результатами по подвижности двумерных и трехмерных систем электронов в гелиевом паре. |
---|