Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках
Предложена самосогласованная теория, описывающая волны зарядовой плотности в частично диэлек тризованном сверхпроводнике с d-спариванием. Рассмотрены зависимости диэлектрического (Σ) и сверхпроводящего (Δ) параметров порядка от температуры и других параметров задачи. Впервые построены соответствующи...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117550 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Волны зарядовой плотности в d-волновых сверхпроводниках / А.И. Войтенко, А.М. Габович // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 12. — С. 1300–1311. — Бібліогр.: 68 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Предложена самосогласованная теория, описывающая волны зарядовой плотности в частично диэлек тризованном сверхпроводнике с d-спариванием. Рассмотрены зависимости диэлектрического (Σ) и сверхпроводящего (Δ) параметров порядка от температуры и других параметров задачи. Впервые построены соответствующие угловые диаграммы распределения щелей на поверхности Ферми. Разработанная теория применяется для объяснения свойств высокотемпературных оксидов. Проанализировано влияние угла рассогласования между лепестками параметров порядка Σ и Δ на распределение щелей в импульсном пространстве и на явление реентранса Σ по температуре. |
|---|